片上4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個(gè)衰減器

發(fā)布時(shí)間:2021/4/24 0:00:41 訪問次數(shù):999

InWheelSense能量收集模塊利用壓電元件從機(jī)械運(yùn)動(dòng)或力中產(chǎn)生電能。該模塊放置在輪胎和車輪之間的邊界處，可以利用輪胎旋轉(zhuǎn)時(shí)路面產(chǎn)生的力來發(fā)電。

片上4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個(gè)衰減器.MAX19794是單片器件,采用該公司的專有的SiGeBiCMOS工藝,工作單5V電壓或+3.3V電壓.

器件具有高度線性度,整個(gè)衰減范圍內(nèi)IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

23A（Ta），100A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

2.8 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

2V @ 10mA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta），48W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TDSON-8-6

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓（Vdss）

30V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

32nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

1500pF @ 15V

基本產(chǎn)品編號(hào)

BSC0902

UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器,源電流1.5A,沉電流2A,增強(qiáng)隔離指標(biāo)為5.7-kVRMS.33V高工作電壓允許采用雙極電源來有效地驅(qū)動(dòng)IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驅(qū)動(dòng)高邊和低邊功率FET.

引腳對(duì)引腳替代光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時(shí)延為105ns,部件間延時(shí)失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態(tài)免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.

工作結(jié)溫為–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔離1分鐘per UL 1577.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）