eSIM模塊預裝意法半導體授權合作伙伴Truphone的引導程序連接配置文件。該套件具有開箱即用的數(shù)據(jù)連接功能，并支持遠程SIM卡開通置備和SIM卡無線更新功能。

用戶用USB線連電源或在連接器中裝入三節(jié)AAA電池即可啟動開發(fā)板，然后再激活eSIM卡，把板卡連接到蜂窩移動網(wǎng)絡，開始開發(fā)應用項目。

憑借其強大的處理能力，HVC 系列可實現(xiàn)復雜的電機控制算法，例如用于永磁同步電機 (PMSM) 的空間矢量調(diào)制 (SVM),帶有反電磁力的無傳感器換向 (BEMF),及各種帶電流限制和失速檢測的步進算法。

福建芯鴻科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 90 A

Rds On-漏源導通電阻: 3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 98 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 61 S

下降時間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 70 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 40 ns

典型接通延遲時間: 30 ns

零件號別名: IPB37N6N3GXT SP000397986 IPB037N06N3GATMA1

單位重量: 4 g

可以直接準確地檢測家居、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療保健和其他應用中CO2濃度的TCE-11101小型化超低功耗MEMS平臺。

TCE-11101引入了新技術，將TDK的傳感器領先地位擴展到新的應用和解決方案中，作為新的SmartEnviroTM系列的一部分。

平臺的體積小、功耗低，使所有形態(tài)的消費類和商業(yè)設備都不需要持續(xù)的墻式供電。TCE-11101  封裝在5mm 5mm 1mm28-管腳LGA封裝中，設計需要最少的外部器件來完成。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）