STGAP2SICS是電流隔離的4A SiC MOSFET單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)電流4A和軌到軌輸出.

器件有兩種不同的配置.獨(dú)立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨(dú)的最佳開和關(guān).配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向時(shí)阻止柵極尖峰的發(fā)生.

兩種配置提供了高度靈活性,降低外接元件的材料清單(BOM).器件的高壓軌高達(dá)1200V,@25C的驅(qū)動(dòng)電流能力為4A沉/源.整個(gè)輸入-輸出延時(shí)為75ns.

主要用在中高功率應(yīng)用包括工業(yè)應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換,馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器逆變器.

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    100 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    40 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    19.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    17 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    78 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長(zhǎng)度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 2  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   18 S  

下降時(shí)間:   4 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   21 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   16 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   11 ns  

零件號(hào)別名:  BSC252N1NSFGXT SP000379608 BSC252N10NSFGATMA1  

單位重量:  120.780 mg  

CISSOID的IPM技術(shù)平臺(tái)可迅速適應(yīng)新的電壓、功率和冷卻要求，極大地加速了基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度。

嵌入式柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器解決了與快速開關(guān)SiC晶體管有關(guān)的多個(gè)挑戰(zhàn)：例如用負(fù)驅(qū)動(dòng)和有源米勒鉗位（AMC）來防止寄生導(dǎo)通.

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