PI7C9X3G808GP 藉由這項(xiàng) CDEP 功能支持扇出與雙主機(jī)連接。

內(nèi)建的 PCIe 3.0 時(shí)鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數(shù)量，有助于降低 BOM 成本。此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業(yè)界獨(dú)一無二的產(chǎn)品。

可以使用三種參考頻率選項(xiàng)：通用、獨(dú)立參考無擴(kuò)頻 (SRNS) 及獨(dú)立參考擴(kuò)頻 (SRIS)。

切換器中嵌入了多個(gè)直接內(nèi)存訪問 (DMA) 通道，盡量提高單一主機(jī) (或多部主機(jī)) 與相連的端點(diǎn)之間通訊作業(yè)效率。

漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:170 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV Qg-柵極電荷:2.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.2 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 類型:FET 寬度:1.3 mm 商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild 正向跨導(dǎo) - 最小值:0.8 S 下降時(shí)間:9 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:9 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns 典型接通延遲時(shí)間:1.7 ns 零件號(hào)別名:BSS123_NL 單位重量:30 mg

檢測到發(fā)熱后，當(dāng)達(dá)到通常溫度時(shí)會(huì)自動(dòng)恢復(fù)原來的電阻值，能反復(fù)使用。 

在室溫（25℃）下電阻值為540Ω，在檢測溫度115℃下電阻值為4.7kΩ。Arm®的SAMRH71微處理器（MPU）獲得認(rèn)證，SAMRH707單片機(jī)（MCU）。

這兩款產(chǎn)品均采用了基于Arm Cortex®-M7的片上系統(tǒng)（SoC）抗輻射技術(shù)。

Microchip 的 SAMRH71 和 SAMRH707 器件在歐洲航天局（ESA）和法國航天局國家空間研究（CNES）的支持下開發(fā)，用于進(jìn)一步開展研究和航天任務(wù)。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）