新元件采用芯片級封裝，尺寸僅為400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封裝高度也極低，僅為100μm。

新型TVS二極管的設(shè)計工作電壓為5V，響應(yīng)電壓為6.8 V。

在不同的峰值脈沖電流條件下，兩款新元件的端接電壓也不相同：當(dāng)峰值脈沖電流為8 A時，鉗位電壓為7.2 V；當(dāng)峰值脈沖電流為16 A時，端接電壓為8 V。

不同類型的新元件可提供不同的寄生電容，其中SD0201SL-GP101型的寄生電容為12 pF，而SD01005SL-GP101型的寄生電容為5 pF。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:500 V Id-連續(xù)漏極電流:20 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:270 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:85 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:190 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:20.15 mm 長度:15.75 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.15 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時間:15 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:20 ns 600 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:70 ns 典型接通延遲時間:28 ns 單位重量:38 g

這種創(chuàng)新設(shè)計的另一個優(yōu)勢是無內(nèi)部接線，因為線圈的末端已經(jīng)被設(shè)計為接線端子。這種設(shè)計原理為汽車應(yīng)用帶來兩個顯著優(yōu)勢：大大提高了可靠性，可實現(xiàn)超低的RDC值。

通過創(chuàng)新的設(shè)計理念，CLT32系列電感器的尺寸僅為3.2 x 2.5 mm2，高度僅為2.5 mm，所需安裝空間還不到同類競品的四分之一。

其中關(guān)鍵因素是在PMIC拓撲中可同時使用多個該系列的功率電感器，從而顯著縮減PCB電路板尺寸。

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