雙向過壓保護(hù)元件的產(chǎn)品CLT32系列新型功率電感器
發(fā)布時間:2021/4/29 18:08:34 訪問次數(shù):878
CLT32系列新型功率電感器使用了創(chuàng)新設(shè)計原理。這涉及到通過特殊的鐵磁性塑料復(fù)合材料模壓成型的實(shí)心銅線圈。
此外,新元件還具有其他特點(diǎn)和優(yōu)勢,比如響應(yīng)時間短,漏電流低(僅2 nA@3.3 V)。
除了尺寸,新系列還具有比競品明顯更好的電氣性能。例如,相比于薄膜或金屬復(fù)合技術(shù),CLT32系列的高頻交流電流損失明顯要低得多。
超小型的高功率TVS(瞬態(tài)抑制)二極管,進(jìn)一步擴(kuò)展了I/O接口的雙向過壓保護(hù)元件的產(chǎn)品組合。
制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:12 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123-2 Pd-功率耗散:625 mW 電壓容差:2 % 電壓溫度系數(shù):8.4 mV/K 齊納電流:100 nA Zz - 齊納阻抗:10 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測試電流:5 mA 資格:AEC-Q101 高度:1.15 mm 長度:2.675 mm 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Nexperia If - 正向電流:100 mA Ir - 反向電流 :0.1 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量10000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:1.1 V 零件號別名:934071049118 單位重量:34 mg
主要應(yīng)用
各種物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、智能家居或工業(yè)4.0設(shè)備
智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、智能手表和助聽器等
主要特點(diǎn)與優(yōu)勢
I/O接口的雙向保護(hù)
ESD 保護(hù)性能滿足 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)要求
接觸放電電壓最高可達(dá) 24 kV
浪涌電流負(fù)載能力高達(dá) 8 A,滿足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 標(biāo)準(zhǔn)要求
鉗位電壓:8 V
400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片級封裝,占用空間極小
超低封裝高度:僅100 μm
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
CLT32系列新型功率電感器使用了創(chuàng)新設(shè)計原理。這涉及到通過特殊的鐵磁性塑料復(fù)合材料模壓成型的實(shí)心銅線圈。
此外,新元件還具有其他特點(diǎn)和優(yōu)勢,比如響應(yīng)時間短,漏電流低(僅2 nA@3.3 V)。
除了尺寸,新系列還具有比競品明顯更好的電氣性能。例如,相比于薄膜或金屬復(fù)合技術(shù),CLT32系列的高頻交流電流損失明顯要低得多。
超小型的高功率TVS(瞬態(tài)抑制)二極管,進(jìn)一步擴(kuò)展了I/O接口的雙向過壓保護(hù)元件的產(chǎn)品組合。
制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:12 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123-2 Pd-功率耗散:625 mW 電壓容差:2 % 電壓溫度系數(shù):8.4 mV/K 齊納電流:100 nA Zz - 齊納阻抗:10 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測試電流:5 mA 資格:AEC-Q101 高度:1.15 mm 長度:2.675 mm 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Nexperia If - 正向電流:100 mA Ir - 反向電流 :0.1 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量10000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:1.1 V 零件號別名:934071049118 單位重量:34 mg
主要應(yīng)用
各種物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、智能家居或工業(yè)4.0設(shè)備
智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、智能手表和助聽器等
主要特點(diǎn)與優(yōu)勢
I/O接口的雙向保護(hù)
ESD 保護(hù)性能滿足 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)要求
接觸放電電壓最高可達(dá) 24 kV
浪涌電流負(fù)載能力高達(dá) 8 A,滿足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 標(biāo)準(zhǔn)要求
鉗位電壓:8 V
400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片級封裝,占用空間極小
超低封裝高度:僅100 μm
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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