CISSOID IPM 智能功率模塊10ms以內(nèi)執(zhí)行整顆芯片的擦除
發(fā)布時(shí)間:2021/4/29 22:46:40 訪問次數(shù):407
CISSOID IPM 智能功率模塊除采用了國際上最流行的SiC MOSFET芯片外，我們也與中國國內(nèi)的SiC芯片廠商開展深入合作，也相繼推出了基于中國國產(chǎn)SiC MOSFET的IPM模塊（CXT－PLA3SA550CA 和CMT－PLA3SB340CA）.
這些中國國產(chǎn)版的SiCIPM模塊一方面適應(yīng)了中國國內(nèi)的市場需求，另一方面亦促進(jìn)了與國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的共同發(fā)展。
自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來，應(yīng)用需求一直推動(dòng)著結(jié)溫的升高，目前已達(dá)到150℃。
制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 產(chǎn)品類型:ESD Suppressors 極性:Bidirectional 工作電壓:5 V 通道數(shù)量:2 Channel 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 擊穿電壓:7.6 V 鉗位電壓:10 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):350 W Vesd - 靜電放電電壓氣隙:15 kV Cd - 二極管電容 :75 pF 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):Nexperia 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 零件號(hào)別名:934058864215 單位重量:8.800 mg
例如，2Mbit AT25EU0021A可在10ms以內(nèi)執(zhí)行整顆芯片的擦除，而消耗的電能低于競爭方案所需的1%。競爭方案可能需要整整1秒或更長的時(shí)間來執(zhí)行相同的操作。
實(shí)現(xiàn)更快、功耗更低的擦除操作，可以提升設(shè)備的軟件無線更新（OTA）、事件跟蹤、數(shù)據(jù)記錄活動(dòng)等功能的效率。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
CISSOID IPM 智能功率模塊除采用了國際上最流行的SiC MOSFET芯片外，我們也與中國國內(nèi)的SiC芯片廠商開展深入合作，也相繼推出了基于中國國產(chǎn)SiC MOSFET的IPM模塊（CXT－PLA3SA550CA 和CMT－PLA3SB340CA）.
這些中國國產(chǎn)版的SiCIPM模塊一方面適應(yīng)了中國國內(nèi)的市場需求，另一方面亦促進(jìn)了與國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的共同發(fā)展。
自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來，應(yīng)用需求一直推動(dòng)著結(jié)溫的升高，目前已達(dá)到150℃。
制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 產(chǎn)品類型:ESD Suppressors 極性:Bidirectional 工作電壓:5 V 通道數(shù)量:2 Channel 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 擊穿電壓:7.6 V 鉗位電壓:10 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):350 W Vesd - 靜電放電電壓氣隙:15 kV Cd - 二極管電容 :75 pF 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):Nexperia 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 零件號(hào)別名:934058864215 單位重量:8.800 mg
例如，2Mbit AT25EU0021A可在10ms以內(nèi)執(zhí)行整顆芯片的擦除，而消耗的電能低于競爭方案所需的1%。競爭方案可能需要整整1秒或更長的時(shí)間來執(zhí)行相同的操作。
實(shí)現(xiàn)更快、功耗更低的擦除操作，可以提升設(shè)備的軟件無線更新（OTA）、事件跟蹤、數(shù)據(jù)記錄活動(dòng)等功能的效率。
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