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移動的Mioty設(shè)備可以在最高時速120km/h時正常通信

發(fā)布時間:2021/4/28 13:02:34 訪問次數(shù):478

移動的Mioty設(shè)備可以在最高時速120km/h時正常通信,而不會出現(xiàn)信號衰減問題,適用于車隊管理、資產(chǎn)跟蹤和防盜檢測等應(yīng)用。

STM32WL的Mioty協(xié)議棧是由Alliance Mioty的創(chuàng)始成員、ST授權(quán)合作伙伴Stackforce開發(fā),交付形式是與應(yīng)用程序直接集成的軟件庫,或者是直接寫到調(diào)制解調(diào)器SoC上的固件。

STM32WL已經(jīng)是市場公認(rèn)的非常強大的平臺,特別是在多協(xié)議棧支持方面表現(xiàn)出色。我們很高興將Mioty這一項有前景的新LPWAN技術(shù)加到STM32WL引人注目的多協(xié)議棧組合。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

63A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)

10.9 毫歐 @ 46A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 45μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

78W(Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TDSON-8-1

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss)

100V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)

35nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)

2500pF @ 50V

基本產(chǎn)品編號

BSC109

器件的輸入到輸出隔離電壓高達(dá)5 kVRMS.驅(qū)動器間不同電壓高達(dá)1500VDC峰值.

開關(guān)頻率高達(dá)8MHz.器件滿足AEC-Q100 規(guī)范.RoHS兼容的封裝有SOIC-14/16寬體,SOIC-16窄體,以及LGA-14和QFN-14封裝.

主要用在工業(yè)應(yīng)用如供電系統(tǒng),馬達(dá)控制系統(tǒng),隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器,照明控制系統(tǒng).

等離子顯示器和太陽能與工業(yè)逆變器以及汽車應(yīng)用如車載充電器,電池管理系統(tǒng),充電站,牽引逆變器,混合動力汽車和電動汽車.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


移動的Mioty設(shè)備可以在最高時速120km/h時正常通信,而不會出現(xiàn)信號衰減問題,適用于車隊管理、資產(chǎn)跟蹤和防盜檢測等應(yīng)用。

STM32WL的Mioty協(xié)議棧是由Alliance Mioty的創(chuàng)始成員、ST授權(quán)合作伙伴Stackforce開發(fā),交付形式是與應(yīng)用程序直接集成的軟件庫,或者是直接寫到調(diào)制解調(diào)器SoC上的固件。

STM32WL已經(jīng)是市場公認(rèn)的非常強大的平臺,特別是在多協(xié)議棧支持方面表現(xiàn)出色。我們很高興將Mioty這一項有前景的新LPWAN技術(shù)加到STM32WL引人注目的多協(xié)議棧組合。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

63A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)

10.9 毫歐 @ 46A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 45μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

78W(Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TDSON-8-1

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss)

100V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)

35nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)

2500pF @ 50V

基本產(chǎn)品編號

BSC109

器件的輸入到輸出隔離電壓高達(dá)5 kVRMS.驅(qū)動器間不同電壓高達(dá)1500VDC峰值.

開關(guān)頻率高達(dá)8MHz.器件滿足AEC-Q100 規(guī)范.RoHS兼容的封裝有SOIC-14/16寬體,SOIC-16窄體,以及LGA-14和QFN-14封裝.

主要用在工業(yè)應(yīng)用如供電系統(tǒng),馬達(dá)控制系統(tǒng),隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器,照明控制系統(tǒng).

等離子顯示器和太陽能與工業(yè)逆變器以及汽車應(yīng)用如車載充電器,電池管理系統(tǒng),充電站,牽引逆變器,混合動力汽車和電動汽車.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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