磁路調(diào)整溫度相關(guān)增益和失調(diào)之類(lèi)的主要特性
發(fā)布時(shí)間:2021/4/29 23:34:59 訪問(wèn)次數(shù):716
STM32WL已經(jīng)是市場(chǎng)公認(rèn)的非常強(qiáng)大的平臺(tái),特別是在多協(xié)議棧支持方面表現(xiàn)出色。我們很高興將Mioty這一項(xiàng)有前景的新LPWAN技術(shù)加到STM32WL引人注目的多協(xié)議棧組合。
STM32WL包含在意法半導(dǎo)體的10年供貨保障計(jì)劃中,該計(jì)劃保證所承諾產(chǎn)品長(zhǎng)期供貨,支持工業(yè)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
非侵入式,電隔離、非接觸式電流測(cè)量,可配置用于讀出多個(gè)霍爾陣列的高精度線性電流感測(cè)或差分無(wú)核和雜散場(chǎng)魯棒電流感測(cè).
制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-416-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極—基極電壓 VCBO:60 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:7 V 最大直流電集電極電流:0.15 A Pd-功率耗散:150 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:180 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:560 高度:0.7 mm 長(zhǎng)度:1.6 mm 技術(shù):Si 寬度:0.8 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 集電極連續(xù)電流:0.15 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:120 產(chǎn)品類(lèi)型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子類(lèi)別:Transistors 單位重量:6 mg
通過(guò)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行編程,可以根據(jù)磁路調(diào)整諸如溫度相關(guān)增益和失調(diào)之類(lèi)的主要特性。
根據(jù)ISO 26262的規(guī)定,CUR 4000被定義為支持SEooC ASIL-B,具有數(shù)種板載診斷功能,該功能使用冗余技術(shù)或與其他電流傳感技術(shù)相結(jié)合,為具有更高ASIL級(jí)別的電流傳感器模塊奠定了基礎(chǔ)。
CUR 400采用小型8引腳SOIC8 SMD封裝,與通孔封裝相比,其組裝復(fù)雜度較低。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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STM32WL包含在意法半導(dǎo)體的10年供貨保障計(jì)劃中,該計(jì)劃保證所承諾產(chǎn)品長(zhǎng)期供貨,支持工業(yè)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
非侵入式,電隔離、非接觸式電流測(cè)量,可配置用于讀出多個(gè)霍爾陣列的高精度線性電流感測(cè)或差分無(wú)核和雜散場(chǎng)魯棒電流感測(cè).
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根據(jù)ISO 26262的規(guī)定,CUR 4000被定義為支持SEooC ASIL-B,具有數(shù)種板載診斷功能,該功能使用冗余技術(shù)或與其他電流傳感技術(shù)相結(jié)合,為具有更高ASIL級(jí)別的電流傳感器模塊奠定了基礎(chǔ)。
CUR 400采用小型8引腳SOIC8 SMD封裝,與通孔封裝相比,其組裝復(fù)雜度較低。

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