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AP100有紅外(IR)功能實(shí)現(xiàn)IR連接引線間距有15mm

發(fā)布時(shí)間:2021/5/1 16:29:30 訪問次數(shù):364

傳統(tǒng)無線接入點(diǎn)提供的Wi-Fi覆蓋功能外,AP300還集成了低功耗藍(lán)牙、Zigbee和其他IoT協(xié)議以互連智能設(shè)備。

這款產(chǎn)品集成了兩個(gè)Nordic nRF52833 SoC器件,一個(gè)用于專用的低功耗藍(lán)牙網(wǎng)關(guān),另一個(gè)則用于Zigbee網(wǎng)關(guān),因此能夠使用任一短距離協(xié)議將網(wǎng)絡(luò)中的數(shù)據(jù)中繼傳輸?shù)皆啤?/span>

AP100無線接入點(diǎn)集成了單個(gè)Nordic nRF52833 SoC,以提供低功耗藍(lán)牙或Zigbee無線連接。AP300和AP100均具有紅外(IR)功能以實(shí)現(xiàn)IR連接。


制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    PG-TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    100 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    1.1 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V    

Qg-柵極電荷:    72 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    96 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   85 S  

下降時(shí)間:   6.2 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   8.8 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   37 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   6.7 ns  

零件號(hào)別名:  SP000799082 BSC11N3LSXT BSC011N03LSATMA1  

單位重量:  100 mg

B3292P/Q系列取得UL和EN認(rèn)證,引線間距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三種,根據(jù)容值的大小,可選擇不同的引線間距。

其動(dòng)態(tài)多協(xié)議功能獨(dú)特地支持這些協(xié)議的并發(fā)無線連接。

B3292P/Q系列的典型應(yīng)用是嚴(yán)苛工況和高工作溫度條件下電磁干擾抑制,如:汽車電子應(yīng)用。新型的放大器,繼續(xù)擴(kuò)大了產(chǎn)品組合。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

傳統(tǒng)無線接入點(diǎn)提供的Wi-Fi覆蓋功能外,AP300還集成了低功耗藍(lán)牙、Zigbee和其他IoT協(xié)議以互連智能設(shè)備。

這款產(chǎn)品集成了兩個(gè)Nordic nRF52833 SoC器件,一個(gè)用于專用的低功耗藍(lán)牙網(wǎng)關(guān),另一個(gè)則用于Zigbee網(wǎng)關(guān),因此能夠使用任一短距離協(xié)議將網(wǎng)絡(luò)中的數(shù)據(jù)中繼傳輸?shù)皆啤?/span>

AP100無線接入點(diǎn)集成了單個(gè)Nordic nRF52833 SoC,以提供低功耗藍(lán)牙或Zigbee無線連接。AP300和AP100均具有紅外(IR)功能以實(shí)現(xiàn)IR連接。


制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    PG-TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    100 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    1.1 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V    

Qg-柵極電荷:    72 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    96 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   85 S  

下降時(shí)間:   6.2 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   8.8 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   37 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   6.7 ns  

零件號(hào)別名:  SP000799082 BSC11N3LSXT BSC011N03LSATMA1  

單位重量:  100 mg

B3292P/Q系列取得UL和EN認(rèn)證,引線間距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三種,根據(jù)容值的大小,可選擇不同的引線間距。

其動(dòng)態(tài)多協(xié)議功能獨(dú)特地支持這些協(xié)議的并發(fā)無線連接。

B3292P/Q系列的典型應(yīng)用是嚴(yán)苛工況和高工作溫度條件下電磁干擾抑制,如:汽車電子應(yīng)用。新型的放大器,繼續(xù)擴(kuò)大了產(chǎn)品組合。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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