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Wolfspeed GaN-on-SiC技術(shù)思特威3K級系列圖像傳感器

發(fā)布時間:2021/5/1 16:31:15 訪問次數(shù):595

Cree | Wolfspeed 新型 X-波段器件為設(shè)計工程師提供了豐富的選項,適合要求在苛刻尺寸內(nèi)實現(xiàn)高效率發(fā)射解決方案的系統(tǒng),例如在有源相陣控雷達(dá)應(yīng)用中所需要的那些。

通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技術(shù),這些新型器件能夠在小型且行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)提供高功率附加效率(PAE),從而助力設(shè)計人員能夠在更小型的系統(tǒng)中實現(xiàn)性能的最大化,且功耗更少。

通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 解決方案,將賦能實現(xiàn)關(guān)鍵射頻系統(tǒng)所要求的更小尺寸、更輕重量、更高功率(SWaP)、以及性能達(dá)到新的高度。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    80 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    100 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    4.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2.2 V    

Qg-柵極電荷:    61 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    139 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   55 S  

下降時間:   13 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   12 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   43 ns  

典型接通延遲時間:   20 ns  

零件號別名:  BSC030N08NS5 SP001077098  

單位重量:  506.600 mg

思特威3K級系列產(chǎn)品采用2880x1620分辨率,擁有遠(yuǎn)優(yōu)于2K視頻影像以及比肩4K分辨率的出色畫質(zhì),不僅填補了逐步興起的3K影像應(yīng)用對此類圖像傳感器的迫切需求,并且有效降低了后端處理負(fù)荷及傳輸和存儲的帶寬壓力,使系統(tǒng)得到了充分的優(yōu)化,為3K應(yīng)用客戶量身打造優(yōu)質(zhì)影像解決方案。

思特威還將繼續(xù)推出多款不同系列產(chǎn)品,來滿足未來高清視頻時代各細(xì)分領(lǐng)域不斷增長的應(yīng)用需求。

思特威3K級系列圖像傳感器,不僅能夠輸出高品質(zhì)3K影像,同時依托于全面提升的性能使其擁有極為出色的成像表現(xiàn)。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Cree | Wolfspeed 新型 X-波段器件為設(shè)計工程師提供了豐富的選項,適合要求在苛刻尺寸內(nèi)實現(xiàn)高效率發(fā)射解決方案的系統(tǒng),例如在有源相陣控雷達(dá)應(yīng)用中所需要的那些。

通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技術(shù),這些新型器件能夠在小型且行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)提供高功率附加效率(PAE),從而助力設(shè)計人員能夠在更小型的系統(tǒng)中實現(xiàn)性能的最大化,且功耗更少。

通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 解決方案,將賦能實現(xiàn)關(guān)鍵射頻系統(tǒng)所要求的更小尺寸、更輕重量、更高功率(SWaP)、以及性能達(dá)到新的高度。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    80 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    100 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    4.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2.2 V    

Qg-柵極電荷:    61 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    139 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   55 S  

下降時間:   13 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   12 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   43 ns  

典型接通延遲時間:   20 ns  

零件號別名:  BSC030N08NS5 SP001077098  

單位重量:  506.600 mg

思特威3K級系列產(chǎn)品采用2880x1620分辨率,擁有遠(yuǎn)優(yōu)于2K視頻影像以及比肩4K分辨率的出色畫質(zhì),不僅填補了逐步興起的3K影像應(yīng)用對此類圖像傳感器的迫切需求,并且有效降低了后端處理負(fù)荷及傳輸和存儲的帶寬壓力,使系統(tǒng)得到了充分的優(yōu)化,為3K應(yīng)用客戶量身打造優(yōu)質(zhì)影像解決方案。

思特威還將繼續(xù)推出多款不同系列產(chǎn)品,來滿足未來高清視頻時代各細(xì)分領(lǐng)域不斷增長的應(yīng)用需求。

思特威3K級系列圖像傳感器,不僅能夠輸出高品質(zhì)3K影像,同時依托于全面提升的性能使其擁有極為出色的成像表現(xiàn)。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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