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C233A支持60幀+HDR Mode影像輸出經(jīng)過100%Rg和UIS測試

發(fā)布時間:2021/5/2 0:01:30 訪問次數(shù):742

SC233A與SC223A作為思特威新一代DSI-2技術落地的首發(fā)芯片產品,憑借創(chuàng)新的優(yōu)化工藝,相較前代DSI-1產品,靈敏度Sensitivity提升了20%,在暗光環(huán)境中擁有優(yōu)異的夜視全彩成像性能.

SC233A與SC223A憑借思特威特有的PixGainTM技術,滿阱電子提升超過2倍,有效增加了日間成像的動態(tài)范圍及最大信噪比。

SC233A及SC223A較前代DSI-1產品在色彩呈現(xiàn)力上也更加出色,色彩飽和度Chroma提升20%,在白天也能提供色彩更為艷麗的影像。

SC233A還可支持60幀+HDR Mode影像輸出。

制造商:Texas Instruments產品種類:以太網(wǎng) ICRoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-36產品:Ethernet PHYs標準:100BASE-T1收發(fā)器數(shù)量:1 Transceiver數(shù)據(jù)速率:10 Mb/s, 100 Mb/s接口類型:MII, RGMII, RMII, SGMII工作電源電壓:3.3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C系列:資格:AEC-Q100封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標:Texas Instruments電源電流—最大值:50 mA開發(fā)套件:DP83TC811SEVM雙工:Full-Duplex, Half-Duplex濕度敏感性:Yes產品類型:Ethernet ICs2000子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:3.63 V電源電壓-最小:2.97 V單位重量:109.500 mg

LM25149-Q1和LM25149降壓控制器可通過降低多個頻帶上的傳導EMI來幫助工程師滿足這些要求。

此外,作為p溝道器件,SQJA81EP可簡化柵極驅動設計,無需配置n溝道器件所需的電荷泵。 MOSFET采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

電阻式溫度探測器(RTD)鉑電阻元件提供定制封裝,在對快速和精確反饋以及能效和穩(wěn)定性有要求的嚴苛應用中,這種封裝可以提供高度精確和穩(wěn)定的性能。憑借可全面互換的插入式元件,TE能夠為各種應用設計和開發(fā)采用定制封裝的探頭和組件,以滿足客戶的規(guī)格要求。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

SC233A與SC223A作為思特威新一代DSI-2技術落地的首發(fā)芯片產品,憑借創(chuàng)新的優(yōu)化工藝,相較前代DSI-1產品,靈敏度Sensitivity提升了20%,在暗光環(huán)境中擁有優(yōu)異的夜視全彩成像性能.

SC233A與SC223A憑借思特威特有的PixGainTM技術,滿阱電子提升超過2倍,有效增加了日間成像的動態(tài)范圍及最大信噪比。

SC233A及SC223A較前代DSI-1產品在色彩呈現(xiàn)力上也更加出色,色彩飽和度Chroma提升20%,在白天也能提供色彩更為艷麗的影像。

SC233A還可支持60幀+HDR Mode影像輸出。

制造商:Texas Instruments產品種類:以太網(wǎng) ICRoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-36產品:Ethernet PHYs標準:100BASE-T1收發(fā)器數(shù)量:1 Transceiver數(shù)據(jù)速率:10 Mb/s, 100 Mb/s接口類型:MII, RGMII, RMII, SGMII工作電源電壓:3.3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C系列:資格:AEC-Q100封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標:Texas Instruments電源電流—最大值:50 mA開發(fā)套件:DP83TC811SEVM雙工:Full-Duplex, Half-Duplex濕度敏感性:Yes產品類型:Ethernet ICs2000子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:3.63 V電源電壓-最小:2.97 V單位重量:109.500 mg

LM25149-Q1和LM25149降壓控制器可通過降低多個頻帶上的傳導EMI來幫助工程師滿足這些要求。

此外,作為p溝道器件,SQJA81EP可簡化柵極驅動設計,無需配置n溝道器件所需的電荷泵。 MOSFET采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

電阻式溫度探測器(RTD)鉑電阻元件提供定制封裝,在對快速和精確反饋以及能效和穩(wěn)定性有要求的嚴苛應用中,這種封裝可以提供高度精確和穩(wěn)定的性能。憑借可全面互換的插入式元件,TE能夠為各種應用設計和開發(fā)采用定制封裝的探頭和組件,以滿足客戶的規(guī)格要求。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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