電容的外殼和填充樹(shù)脂滿足UL94 V-0的阻燃等級(jí)要求
發(fā)布時(shí)間:2021/5/1 16:22:43 訪問(wèn)次數(shù):819
新的愛(ài)普科斯(EPCOS)安規(guī)電容系列B3292#P/Q系列。相比于最高工作溫度為110 °C的常規(guī)安規(guī)電容,新系列電容的最大允許工作溫度高達(dá)125 °C。
此外,電容的外殼和填充樹(shù)脂滿足UL94 V-0的阻燃等級(jí)要求。
B3292P/Q系列的容值范圍為0.033 μF至5.6 μF,最大工作電壓為305 V AC,可在嚴(yán)苛工況下可靠運(yùn)行。該系列滿足標(biāo)準(zhǔn)85°C/85%RH/240VAC/500H的THB測(cè)試(高溫高濕負(fù)荷測(cè)試)要求。
B3292P/Q系列依據(jù)IEC 60384-14:2013/AMD1:2016取得安規(guī)認(rèn)證并滿足AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)要求。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 131 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 139 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S
下降時(shí)間: 8.6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 8.6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 51 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
零件號(hào)別名: BSC14N3LSGXT SP000394677 BSC014N03LSGATMA1
單位重量: 107.210 mg
思特威憑借著對(duì)客戶差異化需求的不斷深掘,敏銳地洞悉到2K與4K影像領(lǐng)域之間巨大的CIS藍(lán)海市場(chǎng)并推出3K級(jí)產(chǎn)品系列,以更好地契合終端客戶應(yīng)用需求的升級(jí)。
2顆3K級(jí)圖像傳感器外,后續(xù)思特威還將有更多系列產(chǎn)品面世,包括近紅外增強(qiáng)及星光級(jí)系列的產(chǎn)品,以更好地滿足不同客戶應(yīng)用的多元化及差異化需求。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
新的愛(ài)普科斯(EPCOS)安規(guī)電容系列B3292#P/Q系列。相比于最高工作溫度為110 °C的常規(guī)安規(guī)電容,新系列電容的最大允許工作溫度高達(dá)125 °C。
此外,電容的外殼和填充樹(shù)脂滿足UL94 V-0的阻燃等級(jí)要求。
B3292P/Q系列的容值范圍為0.033 μF至5.6 μF,最大工作電壓為305 V AC,可在嚴(yán)苛工況下可靠運(yùn)行。該系列滿足標(biāo)準(zhǔn)85°C/85%RH/240VAC/500H的THB測(cè)試(高溫高濕負(fù)荷測(cè)試)要求。
B3292P/Q系列依據(jù)IEC 60384-14:2013/AMD1:2016取得安規(guī)認(rèn)證并滿足AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)要求。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 131 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 139 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S
下降時(shí)間: 8.6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 8.6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 51 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
零件號(hào)別名: BSC14N3LSGXT SP000394677 BSC014N03LSGATMA1
單位重量: 107.210 mg
思特威憑借著對(duì)客戶差異化需求的不斷深掘,敏銳地洞悉到2K與4K影像領(lǐng)域之間巨大的CIS藍(lán)海市場(chǎng)并推出3K級(jí)產(chǎn)品系列,以更好地契合終端客戶應(yīng)用需求的升級(jí)。
2顆3K級(jí)圖像傳感器外,后續(xù)思特威還將有更多系列產(chǎn)品面世,包括近紅外增強(qiáng)及星光級(jí)系列的產(chǎn)品,以更好地滿足不同客戶應(yīng)用的多元化及差異化需求。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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