額定值的過沖電壓半磚封裝內(nèi)實現(xiàn)20W/in3的出色功率密度
發(fā)布時間:2021/5/1 20:13:13 訪問次數(shù):563
ROHM一直在大力推動業(yè)內(nèi)先進(jìn)的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產(chǎn)，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。
ROHM就現(xiàn)有GaN器件長期存在的課題開發(fā)出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術(shù)，能夠為各種應(yīng)用提供更廣泛的電源解決方案。
GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低，在開關(guān)工作期間可能會發(fā)生超過額定值的過沖電壓，所以在產(chǎn)品可靠性方面一直存在很大的問題。
制造商: Maxim Integrated
產(chǎn)品種類: 開關(guān)控制器
RoHS: 詳細(xì)信息
封裝 / 箱體: TQFN-EP-12
資格: AEC-Q100
封裝: Tube
系列: MAX16992
類型: Current Mode PWM Controllers
商標(biāo): Maxim Integrated
產(chǎn)品類型: Switching Controllers
工廠包裝數(shù)量: 100
子類別: PMIC - Power Management ICs
零件號別名: MAX16992
高達(dá)90%的效率水平可最大限度地減少不必要的熱量產(chǎn)生，并在一個僅為2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)半磚封裝內(nèi)實現(xiàn)20W/in3的出色功率密度。
該系列有五種型號可選，提供12.0V、15.0V、24.0V、36.0V或48.0V的單輸出電壓。
ASB75系列的空載電流損耗功率小于150mW，大大減少了終端設(shè)備的備用電源需求，使其能夠滿足具有挑戰(zhàn)性的現(xiàn)代效率標(biāo)準(zhǔn)。
預(yù)裝或單獨提供散熱片，以允許設(shè)計者在首選的情況下使用傳統(tǒng)對流或強(qiáng)制空氣冷卻.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
ROHM一直在大力推動業(yè)內(nèi)先進(jìn)的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產(chǎn)，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。
ROHM就現(xiàn)有GaN器件長期存在的課題開發(fā)出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術(shù)，能夠為各種應(yīng)用提供更廣泛的電源解決方案。
GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低，在開關(guān)工作期間可能會發(fā)生超過額定值的過沖電壓，所以在產(chǎn)品可靠性方面一直存在很大的問題。
制造商: Maxim Integrated
產(chǎn)品種類: 開關(guān)控制器
RoHS: 詳細(xì)信息
封裝 / 箱體: TQFN-EP-12
資格: AEC-Q100
封裝: Tube
系列: MAX16992
類型: Current Mode PWM Controllers
商標(biāo): Maxim Integrated
產(chǎn)品類型: Switching Controllers
工廠包裝數(shù)量: 100
子類別: PMIC - Power Management ICs
零件號別名: MAX16992
高達(dá)90%的效率水平可最大限度地減少不必要的熱量產(chǎn)生，并在一個僅為2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)半磚封裝內(nèi)實現(xiàn)20W/in3的出色功率密度。
該系列有五種型號可選，提供12.0V、15.0V、24.0V、36.0V或48.0V的單輸出電壓。
ASB75系列的空載電流損耗功率小于150mW，大大減少了終端設(shè)備的備用電源需求，使其能夠滿足具有挑戰(zhàn)性的現(xiàn)代效率標(biāo)準(zhǔn)。
預(yù)裝或單獨提供散熱片，以允許設(shè)計者在首選的情況下使用傳統(tǒng)對流或強(qiáng)制空氣冷卻.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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