全新的同步直流/直流降壓控制器系列，此類器件支持工程師縮減電源解決方案的尺寸并降低其電磁干擾(EMI)。

通過減小無源元件的濾波負(fù)載，集成式AEF可減小無源元件的尺寸、體積和成本，從而使工程師實(shí)現(xiàn)尺寸更小的低EMI電源設(shè)計(jì)。

LM25149-Q1和LM25149控制器通過實(shí)現(xiàn)交錯(cuò)式雙相操作以及集成自舉二極管、環(huán)路補(bǔ)償和輸出電壓反饋元件，進(jìn)一步提高了功率密度，進(jìn)而降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

18A（Ta），40A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

4 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

2V @ 36μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），69W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TSDSON-8

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓（Vdss）

40V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

64nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

5100pF @ 20V

基本產(chǎn)品編號(hào)

BSZ040

DSI-2技術(shù)的兩款圖像傳感器產(chǎn)品——SC233A與SC223A，以優(yōu)異低光照成像性能為安防監(jiān)控、車載電子以及智能家居等應(yīng)用賦能。

傳統(tǒng)的FSI和BSI技術(shù)之外開拓全新的技術(shù)道路，發(fā)布了基于其創(chuàng)新設(shè)計(jì)架構(gòu)的第一代DSI像素技術(shù)，該技術(shù)相較主流FSI技術(shù)擁有更高的靈敏度與信噪比。

新一代DSI-2技術(shù)，相較前代技術(shù)產(chǎn)品在感光度及色彩表現(xiàn)力等性能上再度提升，同時(shí)思特威再次在DSI-2技術(shù)開發(fā)中融合了創(chuàng)新的像素工藝設(shè)計(jì)。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）