Bourns電流檢測(cè)電阻測(cè)量精度較高加上相對(duì)較低的成本，因此越來(lái)越受歡迎，這些電阻可偵測(cè)電流并轉(zhuǎn)換為易于測(cè)量的電壓，該電壓與流經(jīng)該設(shè)備的電流乃成正比。

Bourns® CSM2F系列有四種不同封裝尺寸：6918、8518、7036和全新8536公制尺寸，并推出兩種新的終端表面處理-全電鍍電極及裸銅電極兩款全新表面處理樣式。

新型「完全電鍍」型號(hào)在材料沖壓后，再經(jīng)過(guò)鍍錫處理以產(chǎn)生保護(hù)層，該保護(hù)層在負(fù)載壽命測(cè)試受益后可提供增強(qiáng)的性能、長(zhǎng)期穩(wěn)定性和較低的電阻漂移。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): GaN

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 12 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.56 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.75 mm

長(zhǎng)度: 4.9 mm

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

寬度: 3.9 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 5.8 ns

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 5.8 ns

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類(lèi)別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 29 ns

典型接通延遲時(shí)間: 6.7 ns

零件號(hào)別名: BSO064N03SXT

單位重量: 540 mg

RAJ306001和RAJ306010電機(jī)控制IC的關(guān)鍵特性.

MCU和前置驅(qū)動(dòng)器集成在單個(gè)8mmx8mm QFN封裝中，包括電荷泵、線性穩(wěn)壓器、電流檢測(cè)、可編程壓擺率控制和BEMF檢測(cè)電路，可實(shí)現(xiàn)無(wú)傳感器操作.

高度集成優(yōu)化電路板尺寸并降低控制系統(tǒng)BOM成本.

支持6-30V（RAJ306001）和6-42V（RAJ306010）電壓工作范圍.

SADT發(fā)生器可使MOSFET在較低溫度下保持高效率運(yùn)行.

無(wú)傳感器電機(jī)控制可實(shí)現(xiàn)從低速到高速旋轉(zhuǎn)的穩(wěn)定運(yùn)行，并可免除使用霍爾IC.

集成安全功能,包括IEC 60730安全標(biāo)準(zhǔn)支持,可檢測(cè)錯(cuò)誤并在發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)停止電機(jī)運(yùn)行.

(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）