ILD8150是80V DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器,用于驅(qū)動(dòng)大功率LED.

對(duì)于接近SELV極限的應(yīng)用,ILD8150提供了高安全電壓富余度.降壓LED驅(qū)動(dòng)器特別設(shè)計(jì)用于通用照明應(yīng)用的LED,采用高邊集成開關(guān)其平均電流可高達(dá)1.5A.

器件集成了80V低RON的高邊MOSFET,混合調(diào)光率0.5%目標(biāo)電流.工作電壓寬,為8V到80V,逐個(gè)周期的電流限制.器件具有欠壓鎖住,熱保護(hù)等特性.

器件可以無閃爍工作,數(shù)字軟起動(dòng),集成下拉晶體管以避免LED發(fā)出暗淡的光.主要用在電子控制裝置(ECG)的LED照明.

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:200 V Id-連續(xù)漏極電流:35 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:80 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V Qg-柵極電荷:- 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:350 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 長(zhǎng)度:3.04 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:1 P-Channel 類型:FET 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:25 mS 下降時(shí)間:16 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:8 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:8 ns 典型接通延遲時(shí)間:8 ns 單位重量:8 mg

SiT8008低功耗MEMS振蕩器現(xiàn)在可以在1.62V至3.63V的任何電壓下工作。

通過此功能以及諸如頻率和驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可編程性之類的其他可編程功能，SiT8008提供了數(shù)百萬種可能的配置。

工廠自動(dòng)化，地震感應(yīng)和數(shù)據(jù)采集等工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用都在單個(gè)系統(tǒng)中使用許多時(shí)鐘源。他們可以從SiT8008的可編程功能中受益匪淺。SiTime已與Digi-Key合作，以確保SiT8008的供貨周期短。

Digi-Key很高興通過SiTime定制的MEMS定時(shí)解決方案為我們的客戶提供附加價(jià)值。

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