1Mbps時每路的電流為1.8mA,傳輸時延為11ns,器件工作溫度–40C 到 +125C,滿足AEC-Q100規(guī)范和VDA320隔離要求.

通過對非易失性存儲器進行編程，可以根據磁路調整諸如溫度相關增益和失調之類的主要特性。

主要用在混合和電動蕩汽車牽引系統(tǒng),電池管理系統(tǒng)(BMS),車載充電器,牽引逆變器,DC/DC轉換器,逆變器和馬達控制,電源,電網和電表以及電器設備.

制造商:ON Semiconductor產品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SSOT-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20 VId-連續(xù)漏極電流:1.6 ARds On-漏源導通電阻:115 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.5 VQg-柵極電荷:6.2 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:500 mW通道模式:Enhancement商標名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:1.12 mm長度:2.9 mm產品:MOSFET Small Signal系列:晶體管類型:1 P-Channel類型:MOSFET寬度:1.4 mm商標:ON Semiconductor / Fairchild正向跨導 - 最小值:6 S下降時間:11 ns產品類型:MOSFET上升時間:11 ns3000子類別:MOSFETs典型關閉延遲時間:16 ns典型接通延遲時間:10 ns零件號別名:FDN338P_NL單位重量:30 mg

器件的數(shù)據速率為50Mbps,隔離層在1060 VRMS工作電壓首有高壽命,高達5000 VRMS隔離指標,典型CMTI為±75 kV/μs,電源電壓為1,71V到1.89V和2.25V到5.5V.具有1.71V到5.5V的電平轉移.

可配置用于讀出多個霍爾陣列的高精度線性電流感測或差分無芯和雜散場魯棒電流感測.

CUR 4000被定義為支持SEooC ASIL-B，具有數(shù)種板載診斷功能，該功能使用冗余技術或與其他電流傳感技術相結合，為具有更高ASIL級別的電流傳感器模塊奠定了基礎。

CUR 400采用小型8引腳SOIC8 SMD封裝，與通孔封裝相比，其組裝復雜度較低。

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