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霍爾陣列讀數(shù)低于滿量程±0.05%的輸出失調(diào)溫度漂移

發(fā)布時(shí)間:2021/5/4 23:56:50 訪問次數(shù):623

在CUR 4000的線性模式下,可配置的霍爾元件陣列可實(shí)現(xiàn)有核雜散場(chǎng)魯棒傳感器模塊設(shè)計(jì)的高精度測(cè)量。差?蓪(shí)現(xiàn)無屏蔽的最小無核和雜散場(chǎng)魯棒系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

完整的霍爾陣列讀數(shù)可達(dá)到低于滿量程±0.05%的輸出失調(diào)溫度漂移。

此外,傳感器還提供無磁滯的輸出信號(hào)!0.2%的非線性誤差和滿量程的±0.005%的噪聲性能允許在高達(dá)8kHz的信號(hào)帶寬下進(jìn)行精確的電流測(cè)量。

TDK使用成熟的霍爾傳感器技術(shù)來構(gòu)造CUR4000。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V 集電極—基極電壓 VCBO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V 最大直流電集電極電流:0.5 A Pd-功率耗散:300 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:80 MHz 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:600 高度:0.95 mm 長度:2.9 mm 技術(shù):Si 寬度:1.3 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 集電極連續(xù)電流:0.5 A 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 單位重量:8 mg

ISO6721-Q1是高性能雙路數(shù)字隔離器,需要高達(dá)5000 VRMS (DWV封裝)和3000 VRMS(D封裝)隔離額度UL 1577認(rèn)證的應(yīng)用.

器件還獲得VDE, TUV, CSA和 CQC認(rèn)證.ISO672x-Q1具有在低功耗時(shí)的高電磁免疫度和低輻射性,同時(shí)隔離CMOS或LVCMOS數(shù)字I/O.

每個(gè)隔離通路有邏輯輸入和輸出緩沖器,它們由TI的雙層容性二氧化硅(SiO2)絕緣層隔離.

ISO6720-Q1器件在同一方向有兩路,而ISO6721-Q1有兩個(gè)隔離通路,一路在每個(gè)方向.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

在CUR 4000的線性模式下,可配置的霍爾元件陣列可實(shí)現(xiàn)有核雜散場(chǎng)魯棒傳感器模塊設(shè)計(jì)的高精度測(cè)量。差?蓪(shí)現(xiàn)無屏蔽的最小無核和雜散場(chǎng)魯棒系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

完整的霍爾陣列讀數(shù)可達(dá)到低于滿量程±0.05%的輸出失調(diào)溫度漂移。

此外,傳感器還提供無磁滯的輸出信號(hào)。±0.2%的非線性誤差和滿量程的±0.005%的噪聲性能允許在高達(dá)8kHz的信號(hào)帶寬下進(jìn)行精確的電流測(cè)量。

TDK使用成熟的霍爾傳感器技術(shù)來構(gòu)造CUR4000。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V 集電極—基極電壓 VCBO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V 最大直流電集電極電流:0.5 A Pd-功率耗散:300 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:80 MHz 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:600 高度:0.95 mm 長度:2.9 mm 技術(shù):Si 寬度:1.3 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 集電極連續(xù)電流:0.5 A 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 單位重量:8 mg

ISO6721-Q1是高性能雙路數(shù)字隔離器,需要高達(dá)5000 VRMS (DWV封裝)和3000 VRMS(D封裝)隔離額度UL 1577認(rèn)證的應(yīng)用.

器件還獲得VDE, TUV, CSA和 CQC認(rèn)證.ISO672x-Q1具有在低功耗時(shí)的高電磁免疫度和低輻射性,同時(shí)隔離CMOS或LVCMOS數(shù)字I/O.

每個(gè)隔離通路有邏輯輸入和輸出緩沖器,它們由TI的雙層容性二氧化硅(SiO2)絕緣層隔離.

ISO6720-Q1器件在同一方向有兩路,而ISO6721-Q1有兩個(gè)隔離通路,一路在每個(gè)方向.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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