GaN能夠幫助雷達設(shè)計者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰(zhàn)，其具備寬的能帶隙，擁有極高的臨界擊穿電場.

具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性，以及優(yōu)異的功率密度。

將碳化硅（SiC）作為 GaN的襯底，能實現(xiàn)較低的熱膨脹、較低的晶格失配，以及出色的熱導(dǎo)率，進而充分發(fā)揮GaN 的特性。

單片微波集成電路（MMIC）能將多個元件的完整功能模塊制造在單個設(shè)備中，進而提高電路密度。

制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:NOR閃存 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOP2-16 系列: 存儲容量:256 Mbit 電源電壓-最小:1.7 V 電源電壓-最大:2 V 有源讀取電流（最大值）:20 mA 接口類型:SPI 最大時鐘頻率:108 MHz 組織:32 M x 8 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 存儲類型:NOR 速度:108 MHz 結(jié)構(gòu):Uniform 商標(biāo):Micron 電源電流—最大值:20 mA 產(chǎn)品類型:NOR Flash 1000 子類別:Memory & Data Storage

這些器件專為汽車應(yīng)用而設(shè)計，比AEC-Q101的要求高出兩倍。

器件支持廣泛的接口標(biāo)準(zhǔn)，包括USB 2.0、超高速USB (10 Gbps)、HDMI 2.0、HDBaseT以及車輛中越來越多的汽車A/V監(jiān)視器、顯示器和攝像頭。

電子含量在整個車輛中的應(yīng)用正在迅速增長，加上對高數(shù)據(jù)速率的需求，高端A/V應(yīng)用中常見的接口正變得越來越普遍。

由于電氣化程度的提高，車輛正處于電氣噪聲環(huán)境中，這些敏感的接口需要高性能ESD的保護。

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