64MHz頻率運行則可實現(xiàn)73CoreMarks/mA的高效能耗
發(fā)布時間:2021/5/7 23:27:31 訪問次數(shù):457
在128MHz設(shè)置下,可實現(xiàn)高達514CoreMark;以64MHz頻率運行則可實現(xiàn)73 CoreMarks/mA的高效能耗。通過集成ArmTrustZone®提供高級別的安全性,可以區(qū)分單個處理器內(nèi)核上的安全區(qū)域和非安全區(qū)域,從而為受信任的軟件提供系統(tǒng)范圍內(nèi)的硬件隔離。
當主要的OEM向Littelfuse提出他們在安裝擰緊過程中遇到的挑戰(zhàn)時,我們立即致力于幫助他們找到解決方案。新的60安培保險絲盒是用六角螺絲設(shè)計的系列產(chǎn)品的一部分,該應(yīng)用需要精確且可重復以提高制造效率并生產(chǎn)高質(zhì)量的產(chǎn)品。
制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:時鐘合成器/抖動清除器RoHS: 系列:最大輸出頻率:3760 MHz電源電壓-最大:3.45 V電源電壓-最小:3.15 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WQFN-32封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel特點:Integrated VCO , Integrated VCO, Wideband商標:Texas Instruments開發(fā)套件:LMX2581EVAL/NOPB濕度敏感性:Yes工作電源電流:135 mA工作電源電壓:3.15 V to 3.45 V產(chǎn)品類型:Clock Synthesizers / Jitter Cleaners1000子類別:Clock & Timer ICs單位重量:58.500 mg
10款適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源的新一代80 V N溝道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”產(chǎn)品。
共提供三種類型的封裝: “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用雙列直插式封裝TO-220; “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用絕緣型直插式封裝TO-220SIS;以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用貼片式封裝DPAK。
新產(chǎn)品采用新一代具有低壓溝槽結(jié)構(gòu)的U-MOSⅩ-H工藝,具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的[1]低漏源導通電阻。這減少了導通損耗,有助于降低設(shè)備的功耗。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
在128MHz設(shè)置下,可實現(xiàn)高達514CoreMark;以64MHz頻率運行則可實現(xiàn)73 CoreMarks/mA的高效能耗。通過集成ArmTrustZone®提供高級別的安全性,可以區(qū)分單個處理器內(nèi)核上的安全區(qū)域和非安全區(qū)域,從而為受信任的軟件提供系統(tǒng)范圍內(nèi)的硬件隔離。
當主要的OEM向Littelfuse提出他們在安裝擰緊過程中遇到的挑戰(zhàn)時,我們立即致力于幫助他們找到解決方案。新的60安培保險絲盒是用六角螺絲設(shè)計的系列產(chǎn)品的一部分,該應(yīng)用需要精確且可重復以提高制造效率并生產(chǎn)高質(zhì)量的產(chǎn)品。
制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:時鐘合成器/抖動清除器RoHS: 系列:最大輸出頻率:3760 MHz電源電壓-最大:3.45 V電源電壓-最小:3.15 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WQFN-32封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel特點:Integrated VCO , Integrated VCO, Wideband商標:Texas Instruments開發(fā)套件:LMX2581EVAL/NOPB濕度敏感性:Yes工作電源電流:135 mA工作電源電壓:3.15 V to 3.45 V產(chǎn)品類型:Clock Synthesizers / Jitter Cleaners1000子類別:Clock & Timer ICs單位重量:58.500 mg
10款適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源的新一代80 V N溝道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”產(chǎn)品。
共提供三種類型的封裝: “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用雙列直插式封裝TO-220; “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用絕緣型直插式封裝TO-220SIS;以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用貼片式封裝DPAK。
新產(chǎn)品采用新一代具有低壓溝槽結(jié)構(gòu)的U-MOSⅩ-H工藝,具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的[1]低漏源導通電阻。這減少了導通損耗,有助于降低設(shè)備的功耗。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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