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耐高溫性能正在推動結(jié)溫加速從目前的150℃邁向175℃

發(fā)布時(shí)間:2021/5/8 13:25:45 訪問次數(shù):594

AS585xB系列的所有三個(gè)版本都采用相同的尺寸和引腳分配,因此FPD制造商可以通過單一電路板設(shè)計(jì)和主機(jī)系統(tǒng)接口輕松地構(gòu)建出一系列產(chǎn)品,以滿足不同客戶或細(xì)分市場的需求。

柔性電路板芯片標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)的加入,高性能的艾邁斯半導(dǎo)體讀取IC可以用于成本競爭激烈的醫(yī)學(xué)成像細(xì)分市場以及更廣闊的工業(yè)市場,為更多的艾邁斯半導(dǎo)體產(chǎn)品開拓了更多的全球市場。

艾邁斯半導(dǎo)體可以根據(jù)客戶的具體需求提供具有相應(yīng)柔性設(shè)計(jì)的AS585x系列讀出IC。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:800 V Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:19 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:70 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 長度:10.4 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET 類型:MOSFET 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時(shí)間:40 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:27 ns 1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:36 ns 典型接通延遲時(shí)間:17 ns 單位重量:2 g

第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件(如SiC)已走過了從出現(xiàn)發(fā)展到已日趨成熟并全面商業(yè)化普及的路徑,其獨(dú)特的耐高溫性能正在推動結(jié)溫加速從目前的150℃邁向175℃,未來將進(jìn)軍200℃。

SiC的獨(dú)特高溫特性和低開關(guān)損耗優(yōu)勢,這一結(jié)溫不斷提升的趨勢將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局。

這些目前典型的、未來還將出現(xiàn)的高溫、高功率密度應(yīng)用.

包括深度整合的電動汽車動力總成、多電和全電飛機(jī)乃至電動飛機(jī)、移動儲能充電站和充電寶,以及其他各種液體冷卻受到嚴(yán)重限制的電力應(yīng)用。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

AS585xB系列的所有三個(gè)版本都采用相同的尺寸和引腳分配,因此FPD制造商可以通過單一電路板設(shè)計(jì)和主機(jī)系統(tǒng)接口輕松地構(gòu)建出一系列產(chǎn)品,以滿足不同客戶或細(xì)分市場的需求。

柔性電路板芯片標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)的加入,高性能的艾邁斯半導(dǎo)體讀取IC可以用于成本競爭激烈的醫(yī)學(xué)成像細(xì)分市場以及更廣闊的工業(yè)市場,為更多的艾邁斯半導(dǎo)體產(chǎn)品開拓了更多的全球市場。

艾邁斯半導(dǎo)體可以根據(jù)客戶的具體需求提供具有相應(yīng)柔性設(shè)計(jì)的AS585x系列讀出IC。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:800 V Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:19 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:70 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 長度:10.4 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET 類型:MOSFET 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時(shí)間:40 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:27 ns 1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:36 ns 典型接通延遲時(shí)間:17 ns 單位重量:2 g

第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件(如SiC)已走過了從出現(xiàn)發(fā)展到已日趨成熟并全面商業(yè)化普及的路徑,其獨(dú)特的耐高溫性能正在推動結(jié)溫加速從目前的150℃邁向175℃,未來將進(jìn)軍200℃。

SiC的獨(dú)特高溫特性和低開關(guān)損耗優(yōu)勢,這一結(jié)溫不斷提升的趨勢將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局。

這些目前典型的、未來還將出現(xiàn)的高溫、高功率密度應(yīng)用.

包括深度整合的電動汽車動力總成、多電和全電飛機(jī)乃至電動飛機(jī)、移動儲能充電站和充電寶,以及其他各種液體冷卻受到嚴(yán)重限制的電力應(yīng)用。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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