GaN器件所采用的封裝形式，具有出色的散熱性能且通用性非常好，在可靠性和可安裝性方面已擁有可靠的實際應(yīng)用記錄，因此，將使現(xiàn)有硅器件的替換工作和安裝工序中的操作更加容易。

通過采用銅片鍵合封裝技術(shù)，使寄生電感值相比以往封裝降低了55％，從而在設(shè)計可能會高頻工作的電路時，可以更大程度地發(fā)揮出器件的性能。

與硅器件相比，開關(guān)損耗降低了65％,GaN器件不僅提高了柵極-源極間額定電壓并采用了低電感封裝，還能夠更大程度地發(fā)揮出器件的性能，與硅器件相比，開關(guān)損耗可降低約65％。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:串行器/解串器 - SerdesRoHS: 類型:Deserializer數(shù)據(jù)速率:5.95 Gb/s輸入類型:FPD-Link III, LVDS輸出類型:LVDS輸入端數(shù)量:2 Input輸出端數(shù)量:10 Output工作電源電壓:1.2 V, 1.8 V, 3.3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WQFN-64資格:AEC-Q100封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel系列:商標:Texas Instruments濕度敏感性:Yes工作電源電流:14 mA, 168 mA, 169 mA產(chǎn)品類型:Serializers & Deserializers - Serdes250子類別:Interface ICs電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:1.14 V單位重量:40 mg

它具有足夠的通用性，可以用作半個模塊，也可以并排堆疊以填充整個連接器位置。

該連接器的兩端都有兼容的引腳端接，非常適合于不需要可分離接口的剛性撓性或板對板堆疊。V堆疊連接器通過其壓配應(yīng)用程序使安裝變得簡單。

隨著ADAS※1等無人駕駛技術(shù)的進步，汽車正在逐漸實現(xiàn)電氣化，車載攝像頭、雷達、LiDAR※2、ECU※3等多種電子設(shè)備已開始被安裝在汽車中。

由于需要在有限的空間內(nèi)安裝元件，對于元件本身必須體積小巧且可應(yīng)對高溫環(huán)境的要求正有所增加。

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