CCM圖騰柱雙向拓?fù)涔ぷ黝l率67kHz雙向DC/DC CLLC諧振轉(zhuǎn)換器
發(fā)布時間:2021/4/28 8:17:52 訪問次數(shù):1188
AS585xB設(shè)備憑借其超低噪聲、高帶寬和低功耗,使我們的客戶能夠生成質(zhì)量非常高的X射線圖像。
前端AC/DC PFC采用CCM圖騰柱雙向拓?fù)?工作頻率67kHz,雙向DC/DC CLLC諧振轉(zhuǎn)換器,工作頻率148-300 KHz.
輸出電壓250 V-450 V DC,充電模式的輸出電流為18A,最大輸出功率6.6kW.
恒流,恒壓或恒功率模式,獨(dú)特的熱沉設(shè)計能把熱量從MOSFET,變壓器和電感中散發(fā)出去.主要用在汽車車載充電器.
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 20 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 21 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 21 S
下降時間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 24 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: BSC265N10LSF G SP000379618
單位重量: 120.700 mg
ISO6720-Q1器件在同一方向有兩路,而ISO6721-Q1有兩個隔離通路,一路在每個方向.
器件還獲得VDE, TUV, CSA和 CQC認(rèn)證.ISO672x-Q1具有在低功耗時的高電磁免疫度和低輻射性,同時隔離CMOS或LVCMOS數(shù)字I/O.
每個隔離通路有邏輯輸入和輸出緩沖器,它們由TI的雙層容性二氧化硅(SiO2)絕緣層隔離.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
AS585xB設(shè)備憑借其超低噪聲、高帶寬和低功耗,使我們的客戶能夠生成質(zhì)量非常高的X射線圖像。
前端AC/DC PFC采用CCM圖騰柱雙向拓?fù)?工作頻率67kHz,雙向DC/DC CLLC諧振轉(zhuǎn)換器,工作頻率148-300 KHz.
輸出電壓250 V-450 V DC,充電模式的輸出電流為18A,最大輸出功率6.6kW.
恒流,恒壓或恒功率模式,獨(dú)特的熱沉設(shè)計能把熱量從MOSFET,變壓器和電感中散發(fā)出去.主要用在汽車車載充電器.
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 20 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 21 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 21 S
下降時間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 24 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: BSC265N10LSF G SP000379618
單位重量: 120.700 mg
ISO6720-Q1器件在同一方向有兩路,而ISO6721-Q1有兩個隔離通路,一路在每個方向.
器件還獲得VDE, TUV, CSA和 CQC認(rèn)證.ISO672x-Q1具有在低功耗時的高電磁免疫度和低輻射性,同時隔離CMOS或LVCMOS數(shù)字I/O.
每個隔離通路有邏輯輸入和輸出緩沖器,它們由TI的雙層容性二氧化硅(SiO2)絕緣層隔離.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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