ROHM通過采用自有的結(jié)構(gòu)，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規(guī)的6V提高到了業(yè)內(nèi)超高的8V。ADAQ23875 μModule®數(shù)據(jù)采集解決方案(DAQ)。

ADAQ23875采用系統(tǒng)級封裝 (SIP) 技術(shù)，通過將多個通用信號處理和調(diào)理模塊整合在一個器件中，減少了終端系統(tǒng)元件數(shù)量，縮短了精密測量系統(tǒng)開發(fā)周期。

Analog Devices ADAQ23875 DAQ集成低噪聲全差分模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動器、穩(wěn)定的參考緩沖器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC。

制造商:Rectron 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:13 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 電壓溫度系數(shù):11 mV/C Zz - 齊納阻抗:30 Ohms 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測試電流:5 mA 封裝:Reel 高度:1.1 mm 長度:3.05 mm 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Rectron Ir - 反向電流 :0.1 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:900 mV

數(shù)據(jù)中心和基站等的48V輸入降壓轉(zhuǎn)換器電路基站功率放大器單元的升壓轉(zhuǎn)換器電路 D類音頻放大器 LiDAR驅(qū)動電路、便攜式設(shè)備的無線充電電路.

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料硅相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前利用其高頻特性的應(yīng)用已經(jīng)開始增加。

可以在柵極和源極之間施加的最大電壓。工作所需的電壓稱為“驅(qū)動電壓”，當(dāng)施加了高于特定閾值的電壓時，GaN HEMT將處于被動工作狀態(tài)。