集成式有源EMI濾波器有助于檢測(cè)并降低150 kHz至10 MHz低頻頻帶上的傳導(dǎo)EMI，從而使工程師能夠?qū)MI減少高達(dá)50 dBμV（在440 kHz的開關(guān)頻率下，相對(duì)于禁用AEF的設(shè)計(jì)）或20 dBμV（相對(duì)于采用典型無源濾波器的設(shè)計(jì)）。

在這兩種設(shè)計(jì)方案中，DRSS技術(shù)都有助于在低頻和高頻頻帶上將EMI進(jìn)一步降低5 dBμV。

為了進(jìn)一步降低EMI，這兩款降壓控制器的工作頻率均與外部時(shí)鐘同步，從而幫助工程師在EMI敏感型應(yīng)用中降低不良拍頻。

MOSFET提高了功率密度，從而減少需要并聯(lián)的元器件數(shù)量，節(jié)省PCB空間。此外，作為p溝道器件，SQJA81EP可簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，無需配置n溝道器件所需的電荷泵。

 MOSFET采用無鉛（Pb）封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100 % Rg和UIS測(cè)試。

器件可在+175 °C高溫下工作，滿足反向極性保護(hù)、電池管理、高邊負(fù)載開關(guān)和LED照明等汽車應(yīng)用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）功能，消除機(jī)械應(yīng)力，提高板級(jí)可靠性。

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