輸入負(fù)壓的場景與對MOSFET進(jìn)行電流采樣相關(guān)。為了實(shí)現(xiàn)更精確的控制，有時(shí)在功率MOSFET和大地之間會(huì)接一個(gè)采樣電阻.

這樣驅(qū)動(dòng)器的GND和控制芯片GND之間就會(huì)存在一個(gè)偏置電壓，因此控制芯片輸出低電平時(shí)，相對于驅(qū)動(dòng)器的輸入端，則有一個(gè)負(fù)向的偏置電壓。

對于寄生電感引起的輸入瞬間負(fù)壓，一般有三種應(yīng)對方案�？梢酝ㄟ^減小開關(guān)速度來降低影響，減小開關(guān)速度能降低電流變化速率di/dt，瞬間負(fù)壓幅度也就會(huì)下降。

負(fù)向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。

在典型的低邊柵極驅(qū)動(dòng)電路中，雖然控制器和功率MOSFET使用同一個(gè)直流地平面作為參考，但一些情況下，由于驅(qū)動(dòng)器和控制器有一定距離，所以總會(huì)存在寄生電感。

高di/dt的電流在流經(jīng)MOSFET及其板級回路時(shí)，寄生電感存在會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器的地電位相對于控制器地電位瞬間抬升，驅(qū)動(dòng)器的輸入和地之間就相當(dāng)于出現(xiàn)一個(gè)瞬間負(fù)壓。

在極端情況下，可能造成驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部 ，驅(qū)動(dòng)器出現(xiàn)失效。

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