集成式快速開關(guān)50 A IGBT的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與MOSFET媲美。

較之常規(guī)的碳化硅MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn)95％至97％的系統(tǒng)效率。

此外，CoolSiC肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。相比純硅設(shè)計(jì)而言，該器件是實(shí)現(xiàn)硬換向的理想器件，損耗可降低30%。

由于具有較低的冷卻要求，該二極管還能降低系統(tǒng)成本，帶來(lái)極佳的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 67 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S

下降時(shí)間: 7 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 26 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 37 ns

典型接通延遲時(shí)間: 15 ns

零件號(hào)別名: BSC67N6LS3GXT SP000451084 BSC067N06LS3GATMA1

單位重量: 100 mg

功率模塊含有功率MOSFET和先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)IC。為提高能效，器件內(nèi)部MOSFET采用先進(jìn)的TrenchFET® Gen IV技術(shù)，這一技術(shù)確立行業(yè)性能基準(zhǔn)，顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。

SiC8xx智能功率模塊各種應(yīng)用條件下峰值能效可達(dá)93 %以上。輕載時(shí)可啟用二極管仿真模式，提高全負(fù)載范圍的效率。

對(duì)于應(yīng)用產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，這些優(yōu)勢(shì)不僅有助于節(jié)省空間，而且還可以通過高密度安裝高亮度LED來(lái)提高設(shè)計(jì)靈活性和視認(rèn)性，并有助于減少開發(fā)工時(shí)。

(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）