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發(fā)射功率可達(dá)1000mW ERP一種極富吸引力的解決方案

發(fā)布時(shí)間:2021/5/4 17:00:43 訪問次數(shù):323

IUT-F190-B40擁有與倍加福F190產(chǎn)品系列中其他解決方案相同的主要優(yōu)勢:擁有堅(jiān)固的鑄造外殼(IP67防護(hù)等級)和寬廣的溫度范圍,這使其適合在極具挑戰(zhàn)性的工業(yè)環(huán)境中使用。

該解決方案基于UHF RFID技術(shù),可實(shí)現(xiàn)較高的檢測范圍(最高6m)和速度,并支持多標(biāo)簽讀取。

IUT-F190-B40的發(fā)射功率可達(dá)1000mW ERP,外殼尺寸僅為114 x 112 x 63 mm,這使其在市場上的性能堪稱一流。

通過輸出端的信號燈可以顯示操作準(zhǔn)備就緒或讀取成功的狀態(tài)。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:160 V 集電極—基極電壓 VCBO:180 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V 集電極—射極飽和電壓:0.2 V 最大直流電集電極電流:0.6 A Pd-功率耗散:300 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:300 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:250 高度:1 mm 長度:3.05 mm 技術(shù):Si 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 集電極連續(xù)電流:0.6 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:80 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子類別:Transistors 單位重量:8 mg

器件集成了存儲器保護(hù)單元(MPU),嵌入高速存儲器(帶讀保護(hù),寫保護(hù),專用代碼保護(hù)和可加密區(qū)的多達(dá)128KB閃存和36KB SRAM),DMA和各種系統(tǒng)功能,增強(qiáng)I/O和外設(shè).

器件提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(兩個(gè)I2C,兩個(gè)SPI/一個(gè)I2S,一個(gè)HDMI CEC和四個(gè)USART),多達(dá)19路的12位ADC(2.5MSPS).

可以快速輕松地集成到OT和IT系統(tǒng)中,從而為生產(chǎn)控制和監(jiān)控、追溯應(yīng)用以及工廠自動化中的其他工業(yè)4.0應(yīng)用提供了一種極富吸引力的解決方案。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

IUT-F190-B40擁有與倍加福F190產(chǎn)品系列中其他解決方案相同的主要優(yōu)勢:擁有堅(jiān)固的鑄造外殼(IP67防護(hù)等級)和寬廣的溫度范圍,這使其適合在極具挑戰(zhàn)性的工業(yè)環(huán)境中使用。

該解決方案基于UHF RFID技術(shù),可實(shí)現(xiàn)較高的檢測范圍(最高6m)和速度,并支持多標(biāo)簽讀取。

IUT-F190-B40的發(fā)射功率可達(dá)1000mW ERP,外殼尺寸僅為114 x 112 x 63 mm,這使其在市場上的性能堪稱一流。

通過輸出端的信號燈可以顯示操作準(zhǔn)備就緒或讀取成功的狀態(tài)。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:160 V 集電極—基極電壓 VCBO:180 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V 集電極—射極飽和電壓:0.2 V 最大直流電集電極電流:0.6 A Pd-功率耗散:300 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:300 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:250 高度:1 mm 長度:3.05 mm 技術(shù):Si 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 集電極連續(xù)電流:0.6 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:80 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子類別:Transistors 單位重量:8 mg

器件集成了存儲器保護(hù)單元(MPU),嵌入高速存儲器(帶讀保護(hù),寫保護(hù),專用代碼保護(hù)和可加密區(qū)的多達(dá)128KB閃存和36KB SRAM),DMA和各種系統(tǒng)功能,增強(qiáng)I/O和外設(shè).

器件提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(兩個(gè)I2C,兩個(gè)SPI/一個(gè)I2S,一個(gè)HDMI CEC和四個(gè)USART),多達(dá)19路的12位ADC(2.5MSPS).

可以快速輕松地集成到OT和IT系統(tǒng)中,從而為生產(chǎn)控制和監(jiān)控、追溯應(yīng)用以及工廠自動化中的其他工業(yè)4.0應(yīng)用提供了一種極富吸引力的解決方案。

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