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405nm波長入射光PDP數(shù)值42%傾角傳感器輸出

發(fā)布時間:2021/5/23 12:04:58 訪問次數(shù):1103

傾角傳感器運用陀螺儀補償方法將強大的MEMS傳感元件與先進的濾波功能相結(jié)合,從而獲得穩(wěn)定且高度準確的傾角傳感器輸出。

從挖土鑿坑的挖掘機到用于幫助工人采摘櫻桃或陸地電纜的動臂升降機,傾角傳感器可確保即使在動態(tài)和惡劣的環(huán)境下也能滿足安全性和增加正常運行時間的要求。

為了滿足這種需求,作為全球連接技術(shù)和傳感器行業(yè)技術(shù)企業(yè),TEConnecTIvity(TE)設(shè)計了AXISENSE-G動態(tài)傾角傳感器。

制造商:Microchip 產(chǎn)品種類:8位微控制器 -MCU RoHS:N 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TQFP-44 程序存儲器大小:8 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit ADC分辨率:No ADC 最大時鐘頻率:33 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:32 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:256 B 工作電源電壓:4 V to 5.5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 高度:1 mm 長度:10 mm 程序存儲器類型:Flash 寬度:10 mm 商標:Microchip Technology / Atmel 接口類型:UART 計時器/計數(shù)器數(shù)量:3 Timer 產(chǎn)品類型:8-bit Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量160 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4 V

性能提升最明顯的領(lǐng)域之一是光子探測概率(PDP)。405nm波長入射光PDP數(shù)值為42%,而在近紅外(NIR)頻率上的改進幅度更進一步,高達150%;850nm波長PDP數(shù)值為5%。

此外,后脈沖概率為0.9%,與第一代器件相比降低了70%;暗計數(shù)率(DCR)僅13次/秒/μm2,當前可支持的填充因子(有源傳感器表面積百分比)幾乎翻了一番,達到33%。

由于擊穿電壓特性可能因設(shè)備而異,因此需要精確測定來確保APD/SPAD的良好性能。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

傾角傳感器運用陀螺儀補償方法將強大的MEMS傳感元件與先進的濾波功能相結(jié)合,從而獲得穩(wěn)定且高度準確的傾角傳感器輸出。

從挖土鑿坑的挖掘機到用于幫助工人采摘櫻桃或陸地電纜的動臂升降機,傾角傳感器可確保即使在動態(tài)和惡劣的環(huán)境下也能滿足安全性和增加正常運行時間的要求。

為了滿足這種需求,作為全球連接技術(shù)和傳感器行業(yè)技術(shù)企業(yè),TEConnecTIvity(TE)設(shè)計了AXISENSE-G動態(tài)傾角傳感器。

制造商:Microchip 產(chǎn)品種類:8位微控制器 -MCU RoHS:N 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TQFP-44 程序存儲器大小:8 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit ADC分辨率:No ADC 最大時鐘頻率:33 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:32 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:256 B 工作電源電壓:4 V to 5.5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 高度:1 mm 長度:10 mm 程序存儲器類型:Flash 寬度:10 mm 商標:Microchip Technology / Atmel 接口類型:UART 計時器/計數(shù)器數(shù)量:3 Timer 產(chǎn)品類型:8-bit Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量160 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4 V

性能提升最明顯的領(lǐng)域之一是光子探測概率(PDP)。405nm波長入射光PDP數(shù)值為42%,而在近紅外(NIR)頻率上的改進幅度更進一步,高達150%;850nm波長PDP數(shù)值為5%。

此外,后脈沖概率為0.9%,與第一代器件相比降低了70%;暗計數(shù)率(DCR)僅13次/秒/μm2,當前可支持的填充因子(有源傳感器表面積百分比)幾乎翻了一番,達到33%。

由于擊穿電壓特性可能因設(shè)備而異,因此需要精確測定來確保APD/SPAD的良好性能。


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