NTC檢測芯子最大直徑2.4mm快速響應(yīng)時間為6秒
發(fā)布時間:2021/5/31 18:44:16 訪問次數(shù):875
NiFe合金NTCLE350E4傳感器導(dǎo)線導(dǎo)熱性目前在市場上最低。
因此,器件熱梯度小于0.01 K/K(或1 %),幾乎不向周圍環(huán)境散發(fā)熱量,可進行高精度溫測,優(yōu)于銅等其他導(dǎo)線材料幾個度量級。
為加強高濕度條件下的可靠性,傳感器PEEK絕緣引線與封裝環(huán)氧樹脂之間具有高粘合強度。NTC檢測芯子最大直徑為2.4 mm,空氣中快速響應(yīng)時間為6秒。
在電力牽引電機中,器件可灌封或模壓到傳感器中,保護大電流連接器。
制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-223-4晶體管極性:PNP配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 20 V集電極—基極電壓 VCBO:- 25 V發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V集電極—射極飽和電壓:- 0.5 V最大直流電集電極電流:1 APd-功率耗散:1.5 W增益帶寬產(chǎn)品fT:60 MHz最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel高度:1.57 mm長度:6.5 mm技術(shù):Si寬度:3.5 mm商標:ON Semiconductor集電極連續(xù)電流:- 1 A直流集電極/Base Gain hfe Min:50產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors1000子類別:Transistors單位重量:112 mg
交流電阻(Rac)必須保持在較低的水平,并在施加電流時也保持不變。
通過超低損耗材料的發(fā)展,相較于現(xiàn)有的MLJ-W系列,新的MLJ-H系列在大電流應(yīng)用中實現(xiàn)了更低的交流電阻。
在智能手機、智能手表、可穿戴設(shè)備及其他外圍設(shè)備中,近場通信電路的應(yīng)用日趨廣泛。
在一個完全無接觸的社會中,預(yù)計將有多種使用方式,包括無現(xiàn)金支付。為了滿足前述要求以及客戶需求,TDK將擴大其MLJ系列電感器的生產(chǎn)線。
NiFe合金NTCLE350E4傳感器導(dǎo)線導(dǎo)熱性目前在市場上最低。
因此,器件熱梯度小于0.01 K/K(或1 %),幾乎不向周圍環(huán)境散發(fā)熱量,可進行高精度溫測,優(yōu)于銅等其他導(dǎo)線材料幾個度量級。
為加強高濕度條件下的可靠性,傳感器PEEK絕緣引線與封裝環(huán)氧樹脂之間具有高粘合強度。NTC檢測芯子最大直徑為2.4 mm,空氣中快速響應(yīng)時間為6秒。
在電力牽引電機中,器件可灌封或模壓到傳感器中,保護大電流連接器。
制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-223-4晶體管極性:PNP配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 20 V集電極—基極電壓 VCBO:- 25 V發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V集電極—射極飽和電壓:- 0.5 V最大直流電集電極電流:1 APd-功率耗散:1.5 W增益帶寬產(chǎn)品fT:60 MHz最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel高度:1.57 mm長度:6.5 mm技術(shù):Si寬度:3.5 mm商標:ON Semiconductor集電極連續(xù)電流:- 1 A直流集電極/Base Gain hfe Min:50產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors1000子類別:Transistors單位重量:112 mg
交流電阻(Rac)必須保持在較低的水平,并在施加電流時也保持不變。
通過超低損耗材料的發(fā)展,相較于現(xiàn)有的MLJ-W系列,新的MLJ-H系列在大電流應(yīng)用中實現(xiàn)了更低的交流電阻。
在智能手機、智能手表、可穿戴設(shè)備及其他外圍設(shè)備中,近場通信電路的應(yīng)用日趨廣泛。
在一個完全無接觸的社會中,預(yù)計將有多種使用方式,包括無現(xiàn)金支付。為了滿足前述要求以及客戶需求,TDK將擴大其MLJ系列電感器的生產(chǎn)線。
熱門點擊
- EVE芯片BT817將頻率穩(wěn)定性提高了10倍
- 驅(qū)動器的GND引腳與MOSFET的源極承受-
- NTC檢測芯子最大直徑2.4mm快速響應(yīng)時間
- BME688內(nèi)置氣體傳感器905納米的18.
- 高性能低功耗RH850 MCU和16001個
- D型的漏電保護器高效驗證存儲器和大規(guī)模片上系
- 可編程驅(qū)動和測量電流范圍為±5μA至±80m
- 噪音濾波可編帶寬跨阻抗增益從3.7kΩ到1M
- 1A峰值電流應(yīng)用中驅(qū)動小型有刷(BDC)和無
- 全集成單獨分數(shù)N射頻頻率合成器和全集成的時鐘
推薦技術(shù)資料
- EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用分析
- STGWA30IH160DF2
- 集成半橋 MOSFET 驅(qū)動器
- 全新AI操作系統(tǒng)One UI
- 全新空間音頻標準—Eclipsa Audio
- RISC-V MCU+接口技術(shù)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究