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緊密耦合的存儲器組配置SRAM分割高達39K邏輯單元

發(fā)布時間:2021/6/1 8:42:04 訪問次數(shù):899

Vishay Beyschlag NCW 0612 AT電阻具有出色的高溫性能和極佳的長期穩(wěn)定性,額定功率高達1 W,阻值低至0.10 W,適用于汽車和工業(yè)應用中的電力電子設備。

AM64x系列Sitara處理器是工業(yè)級混雜ARM處理器,組合了兩個Sitara吉比特TSN使能的PRU-ICSSG和多達兩個Arm Cortex-A53核,多達4個Cortex-R5F MCU和一個Cortex-M4F MCU.

AM64x系列的架構通過高性能的R5F,緊密耦合的存儲器組,配置SRAM分割和專用的低等待來回外設通路以便數(shù)據(jù)在SoC中迅速傳輸,從而提供業(yè)界最好的實時性能.

制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:FK-V 產(chǎn)品:High Temp Electrolytic Capacitors 電容:220 uF 電壓額定值 DC:25 VDC 容差:20 % ESR:160 mOhms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 105 C 直徑:8 mm 長度:10.2 mm 高度:10.2 mm 壽命:5000 Hour 紋波電流:600 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 類型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商標:Panasonic 引線間隔:3.1 mm 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:Capacitors 單位重量:880 mg

SGMII (吉比特以太網(wǎng))等.它的處理特性包括高達39K邏輯單元,56個18x18乘法器,2.9Mb嵌入存儲器(由EBR和LRAM區(qū)塊組成),分布式存儲器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高達1066 Mbpsx16數(shù)據(jù)寬).

結合先前發(fā)布的NCW 0406 AT,日前發(fā)布的AEC-Q200標準器件寬邊幾何形狀具有優(yōu)異的溫度循環(huán)穩(wěn)健性。此外,電阻可在+175 °C高溫下工作,高耐硫能力符合ASTM B 809要求,85 °C和85 %相對濕度條件下具有出色的耐濕性。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Vishay Beyschlag NCW 0612 AT電阻具有出色的高溫性能和極佳的長期穩(wěn)定性,額定功率高達1 W,阻值低至0.10 W,適用于汽車和工業(yè)應用中的電力電子設備。

AM64x系列Sitara處理器是工業(yè)級混雜ARM處理器,組合了兩個Sitara吉比特TSN使能的PRU-ICSSG和多達兩個Arm Cortex-A53核,多達4個Cortex-R5F MCU和一個Cortex-M4F MCU.

AM64x系列的架構通過高性能的R5F,緊密耦合的存儲器組,配置SRAM分割和專用的低等待來回外設通路以便數(shù)據(jù)在SoC中迅速傳輸,從而提供業(yè)界最好的實時性能.

制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:FK-V 產(chǎn)品:High Temp Electrolytic Capacitors 電容:220 uF 電壓額定值 DC:25 VDC 容差:20 % ESR:160 mOhms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 105 C 直徑:8 mm 長度:10.2 mm 高度:10.2 mm 壽命:5000 Hour 紋波電流:600 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 類型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商標:Panasonic 引線間隔:3.1 mm 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:Capacitors 單位重量:880 mg

SGMII (吉比特以太網(wǎng))等.它的處理特性包括高達39K邏輯單元,56個18x18乘法器,2.9Mb嵌入存儲器(由EBR和LRAM區(qū)塊組成),分布式存儲器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高達1066 Mbpsx16數(shù)據(jù)寬).

結合先前發(fā)布的NCW 0406 AT,日前發(fā)布的AEC-Q200標準器件寬邊幾何形狀具有優(yōu)異的溫度循環(huán)穩(wěn)健性。此外,電阻可在+175 °C高溫下工作,高耐硫能力符合ASTM B 809要求,85 °C和85 %相對濕度條件下具有出色的耐濕性。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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