雙引導(dǎo)功能和通用功能的硬化SPI控制器
發(fā)布時間:2021/6/11 20:31:52 訪問次數(shù):898
i.MX RT1170還提供各種存儲器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各種連接外設(shè)如WLAN, Bluetooth™,GPS, 顯示器和照相機傳感器.
音頻和視頻特性如MIPICSI/DSI, LCD顯示器,圖像加速器,照相機接口,SPDIF和I2S音頻接口.
i.MX RT1170是i.MXRT系列產(chǎn)品的新高端處理器,集成了高性能工作高達1GHz的ArmCortex®-M7核和工作高達400MHz的能效Cortex®-M4核.
超低功耗非易失PLD器件,共有六個器件,查找表(LUT)從256到6864.
制造商:Littelfuse產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管
RoHS: 詳細信息產(chǎn)品類型:TVS Diodes極性:Bidirectional工作電壓:24 V通道數(shù)量:2 Channel端接類型:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3擊穿電壓:26.7 V鉗位電壓:50 V峰值脈沖功耗 (Pppm):200 WVesd - 靜電放電電壓觸點:24 kVVesd - 靜電放電電壓氣隙:30 kVCd - 二極管電容 :11 pFIpp - 峰值脈沖電流:3 A最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C系列:SM24CANA資格:AEC-Q101封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標:LittelfusePd-功率耗散:-工廠包裝數(shù)量:3000子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes商標名:SPAVf - 正向電壓:-單位重量:8.800 mg
基于LUT,低成本可編邏輯這些器件具有嵌入?yún)^(qū)塊RAM(EBR),分布式RAM,用戶閃存(UFM),鎖相環(huán)(PLL),支持預(yù)工程源同步I/O,支持先進的配置包括雙引導(dǎo)功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和計時器/計數(shù)器.
這些特性使得這些器件可用在低成本量大的消費類和系統(tǒng)應(yīng)用.
MachXO2系列產(chǎn)品采用65nm非易失低功耗工藝,器件的架構(gòu)有幾個特性如可編低擺動差分I/O和能夠關(guān)斷I/O 組(bank),片上PLL和動態(tài)振蕩器.
i.MX RT1170還提供各種存儲器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各種連接外設(shè)如WLAN, Bluetooth™,GPS, 顯示器和照相機傳感器.
音頻和視頻特性如MIPICSI/DSI, LCD顯示器,圖像加速器,照相機接口,SPDIF和I2S音頻接口.
i.MX RT1170是i.MXRT系列產(chǎn)品的新高端處理器,集成了高性能工作高達1GHz的ArmCortex®-M7核和工作高達400MHz的能效Cortex®-M4核.
超低功耗非易失PLD器件,共有六個器件,查找表(LUT)從256到6864.
制造商:Littelfuse產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管
RoHS: 詳細信息產(chǎn)品類型:TVS Diodes極性:Bidirectional工作電壓:24 V通道數(shù)量:2 Channel端接類型:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3擊穿電壓:26.7 V鉗位電壓:50 V峰值脈沖功耗 (Pppm):200 WVesd - 靜電放電電壓觸點:24 kVVesd - 靜電放電電壓氣隙:30 kVCd - 二極管電容 :11 pFIpp - 峰值脈沖電流:3 A最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C系列:SM24CANA資格:AEC-Q101封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標:LittelfusePd-功率耗散:-工廠包裝數(shù)量:3000子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes商標名:SPAVf - 正向電壓:-單位重量:8.800 mg
基于LUT,低成本可編邏輯這些器件具有嵌入?yún)^(qū)塊RAM(EBR),分布式RAM,用戶閃存(UFM),鎖相環(huán)(PLL),支持預(yù)工程源同步I/O,支持先進的配置包括雙引導(dǎo)功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和計時器/計數(shù)器.
這些特性使得這些器件可用在低成本量大的消費類和系統(tǒng)應(yīng)用.
MachXO2系列產(chǎn)品采用65nm非易失低功耗工藝,器件的架構(gòu)有幾個特性如可編低擺動差分I/O和能夠關(guān)斷I/O 組(bank),片上PLL和動態(tài)振蕩器.
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