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Primo Twin-Star功率器件和CMOS圖像傳感器(CIS)的刻蝕應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2021/6/30 22:56:23 訪問(wèn)次數(shù):613

測(cè)試實(shí)例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開(kāi)發(fā)板,搭配Longsys DDR5 32GB 4800內(nèi)存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng),分別通過(guò)魯大師和AIDA64兩個(gè)熟知的軟件展示DDR5的真實(shí)數(shù)據(jù)。

Primo Twin-Star®設(shè)備已在各類前道/后道制程、用于功率器件和CIS應(yīng)用的深溝槽隔離刻蝕(DTI)中表現(xiàn)出卓越的性能。通過(guò)提供兼具這些優(yōu)異性能和高性價(jià)比的解決方案,我們不僅幫助客戶解決了技術(shù)難題,同時(shí)最大程度地提升了其投資效益。


制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類:NOR閃存 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-56 系列:S29GL128S 存儲(chǔ)容量:128 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流(最大值):60 mA 接口類型:Parallel 組織:8 M x 16 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 定時(shí)類型:Asynchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 存儲(chǔ)類型:NOR 速度:90 ns 結(jié)構(gòu):Sector 商標(biāo):Cypress / Spansion 電源電流—最大值:60 mA 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:NOR Flash 工廠包裝數(shù)量:91 子類別:Memory & Data Storage 商標(biāo)名:MirrorBit 單位重量:8.823 g

它的創(chuàng)新設(shè)計(jì)包括:Primo Twin-Star®使用了雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì),創(chuàng)新的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)可最大程度減弱非中心對(duì)稱抽氣口效應(yīng),通過(guò)采用多區(qū)溫控靜電吸盤(ESC)增強(qiáng)了對(duì)關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制。

憑借這些優(yōu)異的性能和其他特性,與其他同類設(shè)備相比,Primo Twin-Star® 以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率,進(jìn)行ICP適用的邏輯和存儲(chǔ)芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用,并用于功率器件和CMOS圖像傳感器(CIS)的刻蝕應(yīng)用。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

測(cè)試實(shí)例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開(kāi)發(fā)板,搭配Longsys DDR5 32GB 4800內(nèi)存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng),分別通過(guò)魯大師和AIDA64兩個(gè)熟知的軟件展示DDR5的真實(shí)數(shù)據(jù)。

Primo Twin-Star®設(shè)備已在各類前道/后道制程、用于功率器件和CIS應(yīng)用的深溝槽隔離刻蝕(DTI)中表現(xiàn)出卓越的性能。通過(guò)提供兼具這些優(yōu)異性能和高性價(jià)比的解決方案,我們不僅幫助客戶解決了技術(shù)難題,同時(shí)最大程度地提升了其投資效益。


制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類:NOR閃存 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-56 系列:S29GL128S 存儲(chǔ)容量:128 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流(最大值):60 mA 接口類型:Parallel 組織:8 M x 16 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 定時(shí)類型:Asynchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 存儲(chǔ)類型:NOR 速度:90 ns 結(jié)構(gòu):Sector 商標(biāo):Cypress / Spansion 電源電流—最大值:60 mA 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:NOR Flash 工廠包裝數(shù)量:91 子類別:Memory & Data Storage 商標(biāo)名:MirrorBit 單位重量:8.823 g

它的創(chuàng)新設(shè)計(jì)包括:Primo Twin-Star®使用了雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì),創(chuàng)新的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)可最大程度減弱非中心對(duì)稱抽氣口效應(yīng),通過(guò)采用多區(qū)溫控靜電吸盤(ESC)增強(qiáng)了對(duì)關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制。

憑借這些優(yōu)異的性能和其他特性,與其他同類設(shè)備相比,Primo Twin-Star® 以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率,進(jìn)行ICP適用的邏輯和存儲(chǔ)芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用,并用于功率器件和CMOS圖像傳感器(CIS)的刻蝕應(yīng)用。

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