兩個(gè)AHB總線和32位多個(gè)AHB總線矩陣的廣泛的增強(qiáng)I/O和外設(shè)
發(fā)布時(shí)間:2021/7/1 8:57:27 訪問次數(shù):420
STM32G474xB/xC/xE系列產(chǎn)品是基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位 RISC核.
工作頻率高達(dá)170MHz. Cortex-M4核有單精度浮點(diǎn)單元(FPU),支持ARM單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有的數(shù)據(jù)類型.
用于靜態(tài)存儲器(100引腳和更多引腳的封裝)的靈活的外接存儲器控制器(FSMC), Quad SPI閃存接口,連接于兩個(gè)APB總線,兩個(gè)AHB總線和32位多個(gè)AHB總線矩陣的廣泛的增強(qiáng)I/O和外設(shè).
器件還嵌入用于嵌入閃存和SRAM的幾種保護(hù)機(jī)制:讀出保護(hù),寫保護(hù),安全存儲器區(qū)和專有代碼讀出保護(hù).
制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PICOSTAR-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:500 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.46 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 10 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V Qg-柵極電荷:216 pC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:500 mW 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:0.35 mm 長度:0.73 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:0.64 mm 商標(biāo):Texas Instruments 下降時(shí)間:7 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:1 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:7 ns 典型接通延遲時(shí)間:3 ns 單位重量:0.300 mg
超低功耗微控制器STM32U5系列，以滿足穿戴、個(gè)人醫(yī)療、家庭自動化和工業(yè)傳感器等對低功耗有嚴(yán)格高要求的智能應(yīng)用設(shè)備。
STM32 MCU基于高效節(jié)能的Arm®Cortex®-M處理器處于市場領(lǐng)先，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于家電、工業(yè)控制、計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信設(shè)備、智慧城市及基礎(chǔ)設(shè)施等數(shù)十億個(gè)設(shè)備中。
頻率和相位延遲同步,每個(gè)輸出有單獨(dú)的使能和電源良好,UV和OV電源良好,可選擇的開關(guān)頻率為500 kHz, 1.0 MHz, 1.5 MHz和 2.0 MHz,滿足EN55011輻射EMI限制.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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器件還嵌入用于嵌入閃存和SRAM的幾種保護(hù)機(jī)制:讀出保護(hù),寫保護(hù),安全存儲器區(qū)和專有代碼讀出保護(hù).
制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PICOSTAR-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:500 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.46 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 10 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V Qg-柵極電荷:216 pC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:500 mW 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:0.35 mm 長度:0.73 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:0.64 mm 商標(biāo):Texas Instruments 下降時(shí)間:7 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:1 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:7 ns 典型接通延遲時(shí)間:3 ns 單位重量:0.300 mg
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頻率和相位延遲同步,每個(gè)輸出有單獨(dú)的使能和電源良好,UV和OV電源良好,可選擇的開關(guān)頻率為500 kHz, 1.0 MHz, 1.5 MHz和 2.0 MHz,滿足EN55011輻射EMI限制.
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