在25°C時，失調(diào)電壓在±200μV范圍內(nèi)，溫漂移低于5μV /°C，增益精度在0.3％以內(nèi)，使器件能夠滿量程檢測最低10mV的壓降，提供一致且可信的測量值。

TSC2010的增益變化為20V/V，TSC2011為60V/V，TSC2012為100V/V，能夠為工業(yè)和汽車系統(tǒng)靈活地構(gòu)建精確的電流測量、過流保護、電流監(jiān)測和電流反饋電路。目標應(yīng)用包括數(shù)據(jù)采集、電機控制、電磁閥控制、儀器儀表、測試測量以及過程控制。

TSC2010、TSC2011和 TSC2012目前采用Mini-SO8和SO8兩種封裝。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerDI3333-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:7.2 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:18 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:33.7 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:810 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:16.6 S 下降時間:30.9 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14.7 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:53.7 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:30 mg

適用于電動汽車（EV）電池管理系統(tǒng)、消費電子、3D打印機，暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC）、焊接設(shè)備、替代能源系統(tǒng)、電機驅(qū)動器、電力電子設(shè)備等。

這其中就用到了單點測距傳感器，它先于人臉識別器件啟動前工作，可起到節(jié)能的作用，手機上需要應(yīng)用單點測距傳感器的應(yīng)用場景也逐漸增多，如攝像頭輔助對焦、背景虛化等.

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