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單點(diǎn)ToF傳感器高增益帶寬乘積和快速壓擺率的ESD防護(hù)功能

發(fā)布時(shí)間:2021/7/2 21:36:41 訪問(wèn)次數(shù):865

超小尺寸單點(diǎn)ToF傳感器,尺寸緊湊,基于飛行時(shí)間測(cè)距原理,通過(guò)內(nèi)置的VCSEL光源發(fā)射近紅外光,遇到前方的物體后光線反射,再由ToF接收芯片接收測(cè)得光的飛行時(shí)間,從而計(jì)算出距離信息。

主要用于近距離精準(zhǔn)測(cè)距,例如掃地機(jī)、服務(wù)機(jī)器人等,用于探測(cè)周圍物體、墻面或者地面距離,實(shí)現(xiàn)避障、沿墻探測(cè)、懸崖探測(cè)等功能。

第一代單點(diǎn)飛行時(shí)間(Time of flight,ToF)傳感器:ND01,已進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。這也是國(guó)內(nèi)自主研發(fā)的首顆可量產(chǎn)單點(diǎn)ToF傳感器。

制造商:Toshiba產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續(xù)漏極電流:29 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:33 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:10.6 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.95 mm長(zhǎng)度:5 mm系列:晶體管類型:1 N-Channel寬度:5 mm商標(biāo):Toshiba下降時(shí)間:5.1 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:5.8 ns5000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns典型接通延遲時(shí)間:16 ns單位重量:83 mg

新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(TSC2010的兩項(xiàng)參數(shù)分別為820kHz和7.5V/μs),確保測(cè)量精度高,響應(yīng)速度快。

三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成EMI濾波器和2kV HBM(人體模型)的ESD防護(hù)功能,確保器件抗擾能力強(qiáng),可在-40°C至125°C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。

這三款新產(chǎn)品還有配套的STEVAL-AETKT1V2評(píng)估板,幫助設(shè)計(jì)人員快速啟動(dòng)使用任何一款器件的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目,加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

超小尺寸單點(diǎn)ToF傳感器,尺寸緊湊,基于飛行時(shí)間測(cè)距原理,通過(guò)內(nèi)置的VCSEL光源發(fā)射近紅外光,遇到前方的物體后光線反射,再由ToF接收芯片接收測(cè)得光的飛行時(shí)間,從而計(jì)算出距離信息。

主要用于近距離精準(zhǔn)測(cè)距,例如掃地機(jī)、服務(wù)機(jī)器人等,用于探測(cè)周圍物體、墻面或者地面距離,實(shí)現(xiàn)避障、沿墻探測(cè)、懸崖探測(cè)等功能。

第一代單點(diǎn)飛行時(shí)間(Time of flight,ToF)傳感器:ND01,已進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。這也是國(guó)內(nèi)自主研發(fā)的首顆可量產(chǎn)單點(diǎn)ToF傳感器。

制造商:Toshiba產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續(xù)漏極電流:29 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:33 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:10.6 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.95 mm長(zhǎng)度:5 mm系列:晶體管類型:1 N-Channel寬度:5 mm商標(biāo):Toshiba下降時(shí)間:5.1 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:5.8 ns5000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns典型接通延遲時(shí)間:16 ns單位重量:83 mg

新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(TSC2010的兩項(xiàng)參數(shù)分別為820kHz和7.5V/μs),確保測(cè)量精度高,響應(yīng)速度快。

三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成EMI濾波器和2kV HBM(人體模型)的ESD防護(hù)功能,確保器件抗擾能力強(qiáng),可在-40°C至125°C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。

這三款新產(chǎn)品還有配套的STEVAL-AETKT1V2評(píng)估板,幫助設(shè)計(jì)人員快速啟動(dòng)使用任何一款器件的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目,加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

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