ADAQ8088在高密度多路系統(tǒng)中最大限度降低了空間需求
發(fā)布時間:2021/7/5 21:26:06 訪問次數(shù):184
ADAQ8088是雙路模擬系統(tǒng)級封裝(SIP),集成了三個信號處理和藹調(diào)理區(qū)塊,支持多種解調(diào)器應(yīng)用和數(shù)據(jù)采集應(yīng)用.器件集成了所有的有源和無源元件,形成I/Q解調(diào)器輸出和ADC輸入之間的完整信號鏈.器件還在基帶數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的換能器輸出和ADC輸入之間的形成完整信號鏈.
工作電壓2.7V到3.3V,工作溫度−40C 到 +85C.3V電源時的功耗為213mW,最大差分增益為30dB,可調(diào)整低至14dB,增益誤差為±0.2 dB,增益漂移為0.01dB/度C.
采用6 mm × 12 mm CSP_BGA封裝, ADAQ8088在高密度多路系統(tǒng)中最大限度降低了空間需求.
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅(qū)動器
產(chǎn)品: Electronic Ignition Drivers
類型: Low Side
工作電源電壓: 4.5 V to 5.5 V
輸出電流: 10 A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerSO-10
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
輸出端數(shù)量: 1 Output
系列: VB525SP-E
商標(biāo): STMicroelectronics
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數(shù)量: 600
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 1.140 g
新型eGaN FET的明顯優(yōu)勢,功率系統(tǒng)設(shè)計人員可以利用性能更高、體積更小、散熱效率更高且成本相當(dāng)?shù)牡壠骷䦟崿F(xiàn)優(yōu)越的解決方案。氮化鎵器件替代功率 MOSFET 的速度將繼續(xù)加速。
擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
ADAQ8088是雙路模擬系統(tǒng)級封裝(SIP),集成了三個信號處理和藹調(diào)理區(qū)塊,支持多種解調(diào)器應(yīng)用和數(shù)據(jù)采集應(yīng)用.器件集成了所有的有源和無源元件,形成I/Q解調(diào)器輸出和ADC輸入之間的完整信號鏈.器件還在基帶數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的換能器輸出和ADC輸入之間的形成完整信號鏈.
工作電壓2.7V到3.3V,工作溫度−40C 到 +85C.3V電源時的功耗為213mW,最大差分增益為30dB,可調(diào)整低至14dB,增益誤差為±0.2 dB,增益漂移為0.01dB/度C.
采用6 mm × 12 mm CSP_BGA封裝, ADAQ8088在高密度多路系統(tǒng)中最大限度降低了空間需求.
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅(qū)動器
產(chǎn)品: Electronic Ignition Drivers
類型: Low Side
工作電源電壓: 4.5 V to 5.5 V
輸出電流: 10 A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerSO-10
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
輸出端數(shù)量: 1 Output
系列: VB525SP-E
商標(biāo): STMicroelectronics
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數(shù)量: 600
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 1.140 g
新型eGaN FET的明顯優(yōu)勢,功率系統(tǒng)設(shè)計人員可以利用性能更高、體積更小、散熱效率更高且成本相當(dāng)?shù)牡壠骷䦟崿F(xiàn)優(yōu)越的解決方案。氮化鎵器件替代功率 MOSFET 的速度將繼續(xù)加速。
擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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