PCIe® 3.0 數(shù)據(jù)包切換器PI7C9X3G808GP，能夠提供現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心、云端運(yùn)算、網(wǎng)絡(luò)附加儲(chǔ)存設(shè)備 (NAS) 和電信基礎(chǔ)設(shè)施所要求的高效能參數(shù)。

這款數(shù)據(jù)包切換器支持 8 通道操作，支持 2、3、4、5和 8 端口配置�？衫弥蓖� (cut-through) 及儲(chǔ)存和轉(zhuǎn)發(fā) (store and forward) 模式，支持小于 150ns (典型值) 的數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)延遲。

可提供多種端口/信道寬度組合，以及跨網(wǎng)域端點(diǎn) (CDEP) 安排。PI7C9X3G808GP 藉由這項(xiàng) CDEP 功能支持扇出與雙主機(jī)連接。

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:260 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):ON Semiconductor 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 單位重量:17 mg

為了最大限度地延長(zhǎng)電池壽命和電池運(yùn)行時(shí)間，耳機(jī)必須確保在充電盒中的正確位置，并且可以在充電時(shí)高效充電。

一種高性價(jià)比的做法是將電流檢測(cè)放大器用于監(jiān)測(cè)耳塞充電，以及將霍爾效應(yīng)開關(guān)用于無線充電盒的開合和耳塞擺放位置能夠最大限度地提高這一應(yīng)用場(chǎng)景的電池充電效率和電池壽命，提高用戶體驗(yàn)。

如果精度不是重要考慮因素，且假設(shè)電流分配相等，那么一個(gè)電流傳感器可以監(jiān)測(cè)兩個(gè)耳塞的充電情況。