eGaN FET可以在250 kHz的開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)97%的效率，可實(shí)現(xiàn)每相800 W，而硅基解決方案只能實(shí)現(xiàn)每相600 W，因?yàn)楹笳咴?00 kHz的最大開關(guān)頻率下，電感電流受限。

工作在250 kHz頻率下的四相氮化鎵基轉(zhuǎn)換器的效率，比工作在100 kHz的五相硅MOSFET轉(zhuǎn)換器高出1.5%。

總的來(lái)說，與硅MOSFET解決方案相比，基于氮化鎵器件的DC/DC轉(zhuǎn)換器的速度快三倍，體積和重量都小35%以上，效率高1.5%以上。而且整體系統(tǒng)成本更低。

產(chǎn)品種類: 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADC

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: ADS7844

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: QSOP-20

分辨率: 12 bit

通道數(shù)量: 8 Channel

接口類型: SPI

采樣比: 200 kS/s

輸入類型: Pseudo-Differential/Single-Ended

結(jié)構(gòu): SAR

模擬電源電壓: 2.7 V to 5.25 V

數(shù)字電源電壓: 1.9 V to 5.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tube

高度: 1.5 mm

長(zhǎng)度: 8.75 mm

轉(zhuǎn)換器數(shù)量: 1 Converter

功耗: 1.8 mW

寬度: 4 mm

商標(biāo): Texas Instruments

參考類型: External

DNL - 微分非線性: +/- 1 LSB

INL - 積分非線性: +/- 1 LSB

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 5 V

Pd-功率耗散: 4.5 mW

產(chǎn)品類型: ADCs - Analog to Digital Converters

SINAD - 信噪和失真率: 72 dB

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: Data Converter ICs

單位重量: 125.800 mg

借助完全集成的配置入網(wǎng)（onboarding）流程，TPDS v2軟件允許客戶選擇安全解決方案，驗(yàn)證用例，制作原型，然后開始安全預(yù)配置過程。

Bourns最新型旋轉(zhuǎn)式電位器還具備絕緣塑料軸、額定旋轉(zhuǎn)周期為10,000次、工作溫度范圍為-10°C至+60°C等特性。

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