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IGBT的續(xù)流二極管傳輸速率20Gbps的USB 3.2 Gen 2x2接口

發(fā)布時間:2021/7/12 7:59:28 訪問次數(shù):375

隨著 NVMe M.2 SSD 的普及,追求高速數(shù)據(jù)傳輸和便攜體驗的用戶,也極大地推動了外置移動固態(tài)硬盤市場的發(fā)展。

MS12 金屬移動硬盤盒,或許就是一個不錯的選擇。其不僅支持多種長度的 M.2 SSD,還采用了傳輸速率高達(dá) 20Gbps 的 USB 3.2 Gen 2x2 接口。

純金屬外殼的設(shè)計,使得 MS12 能夠通過導(dǎo)熱貼,將內(nèi)部 M.2 SSD 的熱量迅速導(dǎo)出,可保障長時間高負(fù)載工作狀態(tài)下的運行速度和散熱效率。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:USB開關(guān)ICRoHS: 詳細(xì)信息產(chǎn)品:USB 2.0 Multiplexers/Demultiplexers配置:2 x 1:2導(dǎo)通電阻—最大值:6 Ohms運行時間—最大值:30 ns空閑時間—最大值:17 ns工作電源電壓:2.3 V to 3.6 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:UQFN-10封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel帶寬:1 GHz高度:0.55 mm長度:1.5 mm系列:TS3USB221A寬度:2 mm商標(biāo):Texas Instruments開發(fā)套件:TS3USB221AEVM開關(guān)數(shù)量:2 Switch工作電源電流:30 uA產(chǎn)品類型:USB Switch ICs工廠包裝數(shù)量:3000子類別:Switch ICs電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:2.3 V單位重量:10 mg

Q101是專門針對分立半導(dǎo)體元器件(晶體管、二極管等)制定的標(biāo)準(zhǔn)。

IGBT比其他功率半導(dǎo)體的成本更低,但存在需要續(xù)流二極管才能工作(需要雙芯片結(jié)構(gòu)才能工作)、關(guān)斷損耗較大的課題.

與IGBT相比,SJ-MOSFET無需續(xù)流二極管即可工作(單芯片結(jié)構(gòu)即可工作),而且關(guān)斷損耗較小,但存在難以應(yīng)對大功率的問題。

IGBT的續(xù)流二極管采用SiC SBD 而非傳統(tǒng)的Si-FRD,推出了可以降低損耗的Hybrid IGBT。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

隨著 NVMe M.2 SSD 的普及,追求高速數(shù)據(jù)傳輸和便攜體驗的用戶,也極大地推動了外置移動固態(tài)硬盤市場的發(fā)展。

MS12 金屬移動硬盤盒,或許就是一個不錯的選擇。其不僅支持多種長度的 M.2 SSD,還采用了傳輸速率高達(dá) 20Gbps 的 USB 3.2 Gen 2x2 接口。

純金屬外殼的設(shè)計,使得 MS12 能夠通過導(dǎo)熱貼,將內(nèi)部 M.2 SSD 的熱量迅速導(dǎo)出,可保障長時間高負(fù)載工作狀態(tài)下的運行速度和散熱效率。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:USB開關(guān)ICRoHS: 詳細(xì)信息產(chǎn)品:USB 2.0 Multiplexers/Demultiplexers配置:2 x 1:2導(dǎo)通電阻—最大值:6 Ohms運行時間—最大值:30 ns空閑時間—最大值:17 ns工作電源電壓:2.3 V to 3.6 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:UQFN-10封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel帶寬:1 GHz高度:0.55 mm長度:1.5 mm系列:TS3USB221A寬度:2 mm商標(biāo):Texas Instruments開發(fā)套件:TS3USB221AEVM開關(guān)數(shù)量:2 Switch工作電源電流:30 uA產(chǎn)品類型:USB Switch ICs工廠包裝數(shù)量:3000子類別:Switch ICs電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:2.3 V單位重量:10 mg

Q101是專門針對分立半導(dǎo)體元器件(晶體管、二極管等)制定的標(biāo)準(zhǔn)。

IGBT比其他功率半導(dǎo)體的成本更低,但存在需要續(xù)流二極管才能工作(需要雙芯片結(jié)構(gòu)才能工作)、關(guān)斷損耗較大的課題.

與IGBT相比,SJ-MOSFET無需續(xù)流二極管即可工作(單芯片結(jié)構(gòu)即可工作),而且關(guān)斷損耗較小,但存在難以應(yīng)對大功率的問題。

IGBT的續(xù)流二極管采用SiC SBD 而非傳統(tǒng)的Si-FRD,推出了可以降低損耗的Hybrid IGBT。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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