GaN能夠幫助雷達(dá)設(shè)計(jì)者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰(zhàn)，其具備寬的能帶隙，擁有極高的臨界擊穿電場(chǎng)；具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性，以及優(yōu)異的功率密度。

將碳化硅（SiC）作為 GaN的襯底，能實(shí)現(xiàn)較低的熱膨脹、較低的晶格失配，以及出色的熱導(dǎo)率，進(jìn)而充分發(fā)揮GaN 的特性。

單片微波集成電路（MMIC）能將多個(gè)元件的完整功能模塊制造在單個(gè)設(shè)備中，進(jìn)而提高電路密度。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: 馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器

RoHS: 詳細(xì)信息

封裝 / 箱體: SSOP-24

資格: AEC-Q100

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

系列: TLE8088

商標(biāo): Infineon Technologies

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: PMIC - Power Management ICs

零件號(hào)別名: TLE8088EM SP000685716

單位重量: 150.400 mg

放大器擁有三級(jí)增益，能夠提供大于 30dB 的大信號(hào)增益和大于 50% 的效率，能夠滿足更低的系統(tǒng)直流功率要求，并為簡(jiǎn)化系統(tǒng)熱管理解決方案提供支持。

GaNMMIC是CMPA9396025S其能夠集成諸多技術(shù)，帶來SWaP-C 改進(jìn)的最大化。

該三級(jí)器件針對(duì)9.3-GHz 至 9.6-GHz工作而設(shè)計(jì)，采用 6 × 6mmQFN 封裝，在 100-μs 脈沖寬度、占空比為 10% 條件下的功率為 25W。

其輸出典型值高達(dá) 40W，大信號(hào)增益大于 20dB，功率附加效率達(dá) 40%。

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