AM64x系列的架構(gòu)通過高性能的R5F,緊密耦合的存儲器組,配置SRAM分割和專用的低等待來回外設(shè)通路以便數(shù)據(jù)在SoC中迅速傳輸,從而提供業(yè)界最好的實(shí)時(shí)性能.

2個(gè)雙核Arm® Cortex®-R5F MCU子系統(tǒng)工作頻率高達(dá)800MHz,用于實(shí)時(shí)處理,雙核Arm® Cortex®-R5F支持雙核和單核模式,單核Arm® Cortex®-M4F MCU工作頻率高達(dá)400MHz,具有帶SECDED ECC的256KB SRAM.

實(shí)時(shí)處理和通信獨(dú)特組合的工業(yè)應(yīng)用如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和可編邏輯控制器(PLC)以及工業(yè)機(jī)器人和遙控I/O.

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:7.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:25 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV Qg-柵極電荷:33.7 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 晶體管類型:2 P-Channel 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:16.6 S 下降時(shí)間:30.9 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:14.7 ns 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:53.7 ns 典型接通延遲時(shí)間:6.9 ns 單位重量:750 mg

8V19N850是全集成的無線電單元時(shí)鐘同步器和轉(zhuǎn)換器時(shí)鐘發(fā)生器,支持兩個(gè)獨(dú)立的頻率域:一個(gè)是有四個(gè)輸出的數(shù)字時(shí)鐘(以太網(wǎng)和FEC速率)域,另一個(gè)是有12個(gè)輸出的設(shè)備時(shí)鐘(RF-PLL)域.

以太網(wǎng)域從兩個(gè)不同APLL來產(chǎn)生適應(yīng)的頻率,RF時(shí)鐘域的輸出產(chǎn)生非常低相位噪音的時(shí)鐘以用于ADC/DAC電路.

未來，ROHM將繼續(xù)擴(kuò)充本系列產(chǎn)品的陣容，同時(shí)推進(jìn)車載級產(chǎn)品的開發(fā)，助力進(jìn)一步降低功耗和減少設(shè)計(jì)工時(shí)，并為解決環(huán)境保護(hù)等社會問題貢獻(xiàn)力量。

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