單個(gè)氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)3.6千瓦(kW)輸出功率的性能屏障
發(fā)布時(shí)間:2021/7/26 13:27:43 訪問次數(shù):280
通過ILT的專有算法,DK-ILT001能夠以超低的處理成本準(zhǔn)確測量目標(biāo)的位置和形狀。
DK-ILT001將作為入門級模塊發(fā)布,它能用于對快速、準(zhǔn)確且反應(yīng)靈敏的3D傳感技術(shù)進(jìn)行很方便的評估,并支持新的軟件應(yīng)用程序的開發(fā)。
DK-ILT001由小巧輕便的硬件模塊和專用固件組成,可以輕松提供快速移動物體的精確3D點(diǎn)云數(shù)據(jù)。
它支持符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的中間件,包括:OpenCV、PCL、Open3D、ROS和Unity,以及C++和Python,用戶可使用這些中間件毫不費(fèi)力地快速地構(gòu)建自己想要的3D傳感系統(tǒng)。
制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:6.93 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-323-2 Pd-功率耗散:200 mW 齊納電流:5 mA Zz - 齊納阻抗:40 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):ROHM Semiconductor Ir - 反向電流 :0.5 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Diodes & Rectifiers 零件號別名:UDZV6.8B 單位重量:10 mg
100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術(shù),此技術(shù)適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,包括雷達(dá)、航空電子、電子戰(zhàn)、工業(yè)、科研和醫(yī)療系統(tǒng)。
在100V工作時(shí),此項(xiàng)技術(shù)通過單個(gè)氮化鎵晶體管即可實(shí)現(xiàn)3.6千瓦(kW)的輸出功率,打破了射頻功率的性能屏障。
與更常見的50V/65V氮化鎵技術(shù)相比,Integra的100V氮化鎵技術(shù)使設(shè)計(jì)師能夠大幅提高系統(tǒng)的功率水平和功能,同時(shí)還能采用更低功率的組合電路來簡化系統(tǒng)架構(gòu)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
通過ILT的專有算法,DK-ILT001能夠以超低的處理成本準(zhǔn)確測量目標(biāo)的位置和形狀。
DK-ILT001將作為入門級模塊發(fā)布,它能用于對快速、準(zhǔn)確且反應(yīng)靈敏的3D傳感技術(shù)進(jìn)行很方便的評估,并支持新的軟件應(yīng)用程序的開發(fā)。
DK-ILT001由小巧輕便的硬件模塊和專用固件組成,可以輕松提供快速移動物體的精確3D點(diǎn)云數(shù)據(jù)。
它支持符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的中間件,包括:OpenCV、PCL、Open3D、ROS和Unity,以及C++和Python,用戶可使用這些中間件毫不費(fèi)力地快速地構(gòu)建自己想要的3D傳感系統(tǒng)。
制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:6.93 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-323-2 Pd-功率耗散:200 mW 齊納電流:5 mA Zz - 齊納阻抗:40 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):ROHM Semiconductor Ir - 反向電流 :0.5 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Diodes & Rectifiers 零件號別名:UDZV6.8B 單位重量:10 mg
100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術(shù),此技術(shù)適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,包括雷達(dá)、航空電子、電子戰(zhàn)、工業(yè)、科研和醫(yī)療系統(tǒng)。
在100V工作時(shí),此項(xiàng)技術(shù)通過單個(gè)氮化鎵晶體管即可實(shí)現(xiàn)3.6千瓦(kW)的輸出功率,打破了射頻功率的性能屏障。
與更常見的50V/65V氮化鎵技術(shù)相比,Integra的100V氮化鎵技術(shù)使設(shè)計(jì)師能夠大幅提高系統(tǒng)的功率水平和功能,同時(shí)還能采用更低功率的組合電路來簡化系統(tǒng)架構(gòu)。
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