可以向具有資質(zhì)的客戶提供IGN1011S3600 100V射頻氮化鎵/碳化硅產(chǎn)品的樣品。

ILT開發(fā)套件(DK-ILT001)將簡(jiǎn)易的紅外激光投影儀與標(biāo)準(zhǔn)CMOS圖像傳感器相結(jié)合，以每秒600多幀(FPS)的速度實(shí)現(xiàn)3D成像，或使用簡(jiǎn)單的Raspberry Pi主機(jī)達(dá)到最高120 FPS的成像速度。

LEMO B系列為市場(chǎng)帶來模塊化、符合人體工程學(xué)、堅(jiān)固耐用且可靠的圓形多芯連接器，適用于需要快速、安全的插拔自鎖應(yīng)用。這使該系列成為測(cè)試和測(cè)量、儀器儀表、醫(yī)療設(shè)備、研究和音頻/視頻應(yīng)用的理想選擇。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:電源開關(guān) IC - 配電 類型:High Side 輸出端數(shù)量:2 Output 電流限制:30 A 導(dǎo)通電阻—最大值:100 mOhms 運(yùn)行時(shí)間—最大值:120 us 空閑時(shí)間—最大值:100 us 工作電源電壓:13 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerSSO-16 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產(chǎn)品:Load Switches 商標(biāo):STMicroelectronics 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:Power Switch ICs - Power Distribution 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:Switch ICs 電源電壓-最大:28 V 電源電壓-最小:4 V 單位重量:150 mg

單個(gè)封裝的50V氮化鎵晶體管相比，可以提供約為其兩倍的功率，因此可以去除大量的合成器和相關(guān)的電子電路，從而縮小系統(tǒng)體積，減輕重量和降低成本，同時(shí)提高系統(tǒng)效率。

Integra的首款100V射頻氮化鎵產(chǎn)品是IGN1011S3600，專為航空電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)。IGN1011S3600輸出功率為3.6千瓦，增益19dB，效率70%，在業(yè)界領(lǐng)先。

IGN1011S3600基于Integra的100V射頻氮化鎵技術(shù)，對(duì)于需要改進(jìn)尺寸、重量、功率和成本(SWAP-C)的項(xiàng)目來說，是一款極具吸引力的解決方案。

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