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Microchip全新Adaptec三模式存儲(chǔ)適配器的兼容性測試

發(fā)布時(shí)間:2021/7/27 6:51:41 訪問次數(shù):207

Microchip全新Adaptec三模式存儲(chǔ)適配器提供了云計(jì)算和服務(wù)器OEM客戶對(duì)基于PCIe 第四代最新服務(wù)器存儲(chǔ)解決方案所要求的性能、連接性、安全性和易管理性。

Microchip最新的智能存儲(chǔ)適配器支持x8和x16 第四代PCIe,性能比前幾代提高4倍,與英特爾最新的TLC和QLC PCIe 3D NAND固態(tài)硬盤搭配使用,有助于提升高密度存儲(chǔ)解決方案的性能。

隨著ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))和自動(dòng)駕駛等汽車功能的升級(jí),汽車上的處理器安裝數(shù)量正在不斷增加,而確保這些處理器能夠正常運(yùn)行的多層陶瓷電容器的數(shù)量也在隨之增加。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:PQFN-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20 VId-連續(xù)漏極電流:100 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:990 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.8 VQg-柵極電荷:155 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:250 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.83 mm長度:6 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:5 mm商標(biāo):Infineon / IR產(chǎn)品類型:MOSFET4000子類別:MOSFETs單位重量:122.136 mg

NVMe和SAS/SATA基礎(chǔ)設(shè)施創(chuàng)新正在提供介質(zhì)靈活性、可靠性和可擴(kuò)展性,以達(dá)到客戶要求的性能和成本目標(biāo)。三星最新的PCIe Gen4 NVMe和24G SAS固態(tài)硬盤已完成了與Microchip SmartRAID 3200適配器的兼容性測試,可立即進(jìn)行部署。

先進(jìn)的功能,如動(dòng)態(tài)通道復(fù)用(DCM)SAS鏈路聚合技術(shù),提供大于99%的擴(kuò)展器連接鏈路效率,顯著提升了高密度存儲(chǔ)解決方案的性能。

我們的云計(jì)算和企業(yè)客戶要求存儲(chǔ)系統(tǒng)高效、可靠地快速移動(dòng)大量數(shù)據(jù)集。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

Microchip全新Adaptec三模式存儲(chǔ)適配器提供了云計(jì)算和服務(wù)器OEM客戶對(duì)基于PCIe 第四代最新服務(wù)器存儲(chǔ)解決方案所要求的性能、連接性、安全性和易管理性。

Microchip最新的智能存儲(chǔ)適配器支持x8和x16 第四代PCIe,性能比前幾代提高4倍,與英特爾最新的TLC和QLC PCIe 3D NAND固態(tài)硬盤搭配使用,有助于提升高密度存儲(chǔ)解決方案的性能。

隨著ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))和自動(dòng)駕駛等汽車功能的升級(jí),汽車上的處理器安裝數(shù)量正在不斷增加,而確保這些處理器能夠正常運(yùn)行的多層陶瓷電容器的數(shù)量也在隨之增加。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:PQFN-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20 VId-連續(xù)漏極電流:100 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:990 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.8 VQg-柵極電荷:155 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:250 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.83 mm長度:6 mm晶體管類型:1 N-Channel寬度:5 mm商標(biāo):Infineon / IR產(chǎn)品類型:MOSFET4000子類別:MOSFETs單位重量:122.136 mg

NVMe和SAS/SATA基礎(chǔ)設(shè)施創(chuàng)新正在提供介質(zhì)靈活性、可靠性和可擴(kuò)展性,以達(dá)到客戶要求的性能和成本目標(biāo)。三星最新的PCIe Gen4 NVMe和24G SAS固態(tài)硬盤已完成了與Microchip SmartRAID 3200適配器的兼容性測試,可立即進(jìn)行部署。

先進(jìn)的功能,如動(dòng)態(tài)通道復(fù)用(DCM)SAS鏈路聚合技術(shù),提供大于99%的擴(kuò)展器連接鏈路效率,顯著提升了高密度存儲(chǔ)解決方案的性能。

我們的云計(jì)算和企業(yè)客戶要求存儲(chǔ)系統(tǒng)高效、可靠地快速移動(dòng)大量數(shù)據(jù)集。

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