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額定紋波電流值達(dá)到產(chǎn)品的1.25倍減少設(shè)計新系統(tǒng)時成本和風(fēng)險

發(fā)布時間:2021/7/27 8:55:57 訪問次數(shù):143

全以太網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施通過使用常見的通信和安全機(jī)制來簡化架構(gòu),減少設(shè)計新系統(tǒng)時的成本和風(fēng)險。

以太網(wǎng)其他優(yōu)勢包括使用獨立于物理層速度的相同協(xié)議,并在已建立安全基礎(chǔ)設(shè)施和生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)運(yùn)行。

Microchip的10Base-T1S技術(shù)為我們的終端到云端整合提供了優(yōu)勢,以更簡單、更經(jīng)濟(jì)的方式連接產(chǎn)品、控制系統(tǒng)、軟件和服務(wù)。

這項技術(shù)將有助于充分利用我們的能源和資源,促進(jìn)相關(guān)各方的進(jìn)步和可持續(xù)發(fā)展。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:800 VId-連續(xù)漏極電流:8 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:560 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.1 VQg-柵極電荷:45 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:40 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:CoolMOS封裝:Tube配置:Single高度:16.15 mm長度:10.65 mm系列:CoolMOS C3晶體管類型:1 N-Channel寬度:4.85 mm商標(biāo):Infineon Technologies下降時間:10 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:15 ns工廠包裝數(shù)量:500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:72 ns典型接通延遲時間:25 ns零件號別名:SPA8N8C3XK SP000216310 SPA08N80C3XKSA1單位重量:2 g

片上實時Arm® Cortex® R7 CPU,無需外部車輛控制器與瑞薩PMIC相搭配,從而降低總體BOM成本.

“GYE系列”(125℃ 4000小時保證)、“GYE系列”(150℃ 1000小時保證)等導(dǎo)電性高分子混合鋁電解電容器,并且向車載、工業(yè)設(shè)備和通信領(lǐng)域等要求高可靠性的市場提出了解決方案。

保持“GYE系列”現(xiàn)有產(chǎn)品的高可控性特長,保證了125℃4000小時的耐高溫和長壽命,在耐濕性方面也保證了85℃ 85%RH.2000小時。

不僅如此,額定紋波電流值最高可達(dá)到現(xiàn)有產(chǎn)品的1.25倍。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

全以太網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施通過使用常見的通信和安全機(jī)制來簡化架構(gòu),減少設(shè)計新系統(tǒng)時的成本和風(fēng)險。

以太網(wǎng)其他優(yōu)勢包括使用獨立于物理層速度的相同協(xié)議,并在已建立安全基礎(chǔ)設(shè)施和生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)運(yùn)行。

Microchip的10Base-T1S技術(shù)為我們的終端到云端整合提供了優(yōu)勢,以更簡單、更經(jīng)濟(jì)的方式連接產(chǎn)品、控制系統(tǒng)、軟件和服務(wù)。

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保持“GYE系列”現(xiàn)有產(chǎn)品的高可控性特長,保證了125℃4000小時的耐高溫和長壽命,在耐濕性方面也保證了85℃ 85%RH.2000小時。

不僅如此,額定紋波電流值最高可達(dá)到現(xiàn)有產(chǎn)品的1.25倍。


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