浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置：51電子網(wǎng) » 技術(shù)資料 » IC/元器件

850nm波段下大幅提升54.9% MOS管導(dǎo)通電阻為Rdson

發(fā)布時間:2021/7/16 17:54:05 訪問次數(shù):1096

SC850SL作為思特威首顆Stack的Rolling Shutter產(chǎn)品，采用Stack BSI架構(gòu)設(shè)計輔以新一代工藝雙重升級，使圖像傳感器的感度大幅提升，相較于業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品，感光度提升15%。

SC850SL還采用思特威創(chuàng)新的超低噪聲外圍讀取電路技術(shù)，成像噪聲大幅優(yōu)化，相較于業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品，讀取噪聲（RN）與固定噪聲（FPN）分別降低69%與59%，實現(xiàn)優(yōu)異的夜視全彩成像。

SC850SL搭載思特威全新的第二代近紅外感度NIR+技術(shù)，QE（量子效率）顯著提升，相較前代NIR+技術(shù)，在850nm波段下大幅提升54.9%，940nm波段下提升79.6%。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:50 V Id-連續(xù)漏極電流:300 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:- 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:350 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:200 mS 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 單位重量:8 mg

MOS管除了3個極之間的Cgd、Cds和Cgs寄生電容外，在G極、D極和S極分別串有寄生電感Lg、Ld和Ls，這些寄生電感主要由MOS管的引腳材質(zhì)和引腳長度決定，它們是真實存在的。

在米勒平臺期間，Cds、Cds(ext)及Cgd放電，放電能量儲存在Ld、Ls和Lg中.

當(dāng)為了改善電路的EMI時，通常在MOS管D、S間并聯(lián)高壓電容，在此為了模擬實驗，采用Cds(ext) 470 pF來說明，MOS管導(dǎo)通電阻為Rdson。

PFC二極管D2的反向恢復(fù)電流通路為：D2經(jīng)Ld和Rdson，再到Ls。


(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）


SC850SL作為思特威首顆Stack的Rolling Shutter產(chǎn)品，采用Stack BSI架構(gòu)設(shè)計輔以新一代工藝雙重升級，使圖像傳感器的感度大幅提升，相較于業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品，感光度提升15%。

SC850SL還采用思特威創(chuàng)新的超低噪聲外圍讀取電路技術(shù)，成像噪聲大幅優(yōu)化，相較于業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品，讀取噪聲（RN）與固定噪聲（FPN）分別降低69%與59%，實現(xiàn)優(yōu)異的夜視全彩成像。

SC850SL搭載思特威全新的第二代近紅外感度NIR+技術(shù)，QE（量子效率）顯著提升，相較前代NIR+技術(shù)，在850nm波段下大幅提升54.9%，940nm波段下提升79.6%。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:50 V Id-連續(xù)漏極電流:300 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:- 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:350 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:200 mS 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 單位重量:8 mg

MOS管除了3個極之間的Cgd、Cds和Cgs寄生電容外，在G極、D極和S極分別串有寄生電感Lg、Ld和Ls，這些寄生電感主要由MOS管的引腳材質(zhì)和引腳長度決定，它們是真實存在的。

在米勒平臺期間，Cds、Cds(ext)及Cgd放電，放電能量儲存在Ld、Ls和Lg中.

當(dāng)為了改善電路的EMI時，通常在MOS管D、S間并聯(lián)高壓電容，在此為了模擬實驗，采用Cds(ext) 470 pF來說明，MOS管導(dǎo)通電阻為Rdson。

PFC二極管D2的反向恢復(fù)電流通路為：D2經(jīng)Ld和Rdson，再到Ls。


(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）


熱門點擊

 

推薦技術(shù)資料

單片機版光立方的制作
    N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細(xì)]
版權(quán)所有:51dzw.COM
深圳服務(wù)熱線：13692101218  13751165337
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司
付款方式


 復(fù)制成功！