Inde-Flux技術(shù)的Würth Elektronik eiSos變壓器與我們的MCP1012 AC-DC控制器和SAM D20系列32位單片機(jī)相結(jié)合，為離線電源管理創(chuàng)造了一個(gè)獨(dú)特的解決方案。

這些器件能夠更簡(jiǎn)單、更可靠地實(shí)現(xiàn)主元件和輔助元件之間的復(fù)雜雙向通信，這些元件用于許多利用離線電源的隔離應(yīng)用中。

當(dāng)解決方案用于具有次級(jí)側(cè)單片機(jī)的系統(tǒng)時(shí)，客戶可節(jié)省高達(dá)60%的偏置電源面積，并將偏置電源物料清單成本降低3美元以上。

制造商:Littelfuse 產(chǎn)品種類(lèi):ESD 抑制器/TVS 二極管 產(chǎn)品類(lèi)型:TVS Diodes 極性:Bidirectional 工作電壓:40 V 通道數(shù)量:1 Channel 端接類(lèi)型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC-2 擊穿電壓:44.4 V 鉗位電壓:64.5 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):400 W Vesd - 靜電放電電壓觸點(diǎn):30 kV Vesd - 靜電放電電壓氣隙:30 kV Ipp - 峰值脈沖電流:6.2 A 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):Littelfuse Pd-功率耗散:3.3 W 工廠包裝數(shù)量5000 子類(lèi)別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes Vf - 正向電壓:3.5 V 單位重量:61 mg

這些650 V GaN HEMT是市面上電壓最高的GaN功率器件，用于要求嚴(yán)格的高可靠性軍事、航空電子和太空應(yīng)用，是諸如電源、電機(jī)控制和半橋拓?fù)涞葢?yīng)用的理想之選。

這些器件配有底部冷卻裝置，采用超低FOM Island Technology®芯片和低電感GaN®封裝，提供大于100 Mhz的超高頻率開(kāi)關(guān)、快速且可控制的下降和上升時(shí)間、反向電流能力等等。

最高可靠性的航空等應(yīng)用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我們相信，這些新器件更小的封裝將使從事最高功率密度項(xiàng)目設(shè)計(jì)的客戶真正受益。

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