第二代全SiC（碳化硅）功率模塊，該模塊采用一種全新開(kāi)發(fā)的工業(yè)用SiC芯片。

組件中的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的低功耗特性和高載操作有望促進(jìn)在各種工業(yè)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)更高效、更小、重量更輕的功率設(shè)備。預(yù)計(jì)2021年1月開(kāi)始銷(xiāo)售。

具體而言，與三菱第一代SiC產(chǎn)品相比，JFET摻雜技術(shù)的導(dǎo)通電阻降低了約15%。

減小鏡像電容（mirror capacitance 即MOSFET結(jié)構(gòu)中柵極和漏極之間的雜散電容）可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)并降低開(kāi)關(guān)損耗。

制造商:Diodes Incorporated產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8通道數(shù)量:2 Channel電源電壓-最大:36 VGBP-增益帶寬產(chǎn)品:1 MHz每個(gè)通道的輸出電流:40 mASR - 轉(zhuǎn)換速率 :500 mV/usVos - 輸入偏置電壓 :500 uV電源電壓-最小:3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 CIb - 輸入偏流:20 nA工作電源電流:75 uA關(guān)閉:No ShutdownCMRR - 共模抑制比:90 dBen - 輸入電壓噪聲密度:-封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel放大器類型:General Purpose Amplifier輸出類型:Rail-to-Rail產(chǎn)品:Operational Amplifiers商標(biāo):Diodes Incorporated拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Dual3dB帶寬:-Ios - 輸入偏置電流 :2 nA濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:90 dB4000子類別:Amplifier ICs單位重量:74 mg

USB3.0模擬開(kāi)關(guān)芯片CH482、CH483，用于USB3.0（USB3.2 Gen1）信號(hào)切換，現(xiàn)批量提供兩種QFN封裝形式，目前已應(yīng)用于USB3.0共享器/切換器等方案。

該芯片也支持PCIe Gen1/2、SATA/SAS 1.5G/3G/6G、Display Port等2路差分信號(hào)的二選一切換。并計(jì)劃2020Q4推出USB3.2 Gen2 Super Speed+ 10Gpbs 模擬開(kāi)關(guān)芯片CH482X。

沁恒微電子是一家專注于USB、PCIe等接口芯片的設(shè)計(jì)公司，其USB產(chǎn)線涵蓋了USB PD、USB2.0、USB3.0 MCU及接口芯片，可提供工業(yè)控制、信息安全、計(jì)算機(jī)手機(jī)周邊等領(lǐng)域的應(yīng)用案例。

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